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少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实际数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有定关系,电阻比值在2 ̄6之间有较大的载流子寿命值,而电阻比值大于10的寿命值较小。 相似文献
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本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。 相似文献
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本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。 相似文献
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本文比较了TGS、LiTaO_3、硼酸盐和其他热释电探测器的琼逊噪声与背景噪声的大小,可以看到,在角频率为探测灵敏元的热时间常数的倒数时,琼逊噪声出现最小值,对有些材料,该最小值可能比背景噪声小得多。本文还讨论了利用这一特性来制作实际探测器的有关问题。需要一种与优良的低噪声放大器配合,具有最小热容的元件,但是由于采用制作电子材料的现代技术有可能制备出比现在一般使用的要好得多的电子器件,因而元件在低频下的性能接近于背景限。 相似文献
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辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素 总被引:5,自引:1,他引:5
本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限,是鉴定起统金属或半导体材料纯度(8N)的理想手段。 相似文献
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国外长波红外焦平面列阵现状 总被引:5,自引:0,他引:5
文中介绍了长波工外焦平面列阵的国外进展,这些列阵包括碲镉汞光电二极管、肖特基势垒器件、砷化镓/砷铝镓多量子阱光导体、高温超导体以及室温工作的焦平面列阵,其中非制冷的混合式热释电陶瓷和单片式的微型测辐射热计焦平面列阵已进入批理生产阶段。 相似文献
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批量生产L_iT_aO_3晶体的工艺技术现已建立起来了。这一工艺成本低廉,生长的L_iT_aO_3晶体能够用来制作声表面波(SAW)电视中频滤波器。用提拉法,在铂—铑坩埚中已成功地沿α轴拉制出用于SAW的L_iT_wO_3单晶直径达62—75mm,长度为130mm。具有水平取向的圆形x切刈基片是在圆柱晶锭上切出的,厚度为500μm。如果声表面波在x切割基片上沿112°y传播,则可以把体波寄生信号响应抑制到-40dB以下。它具有低的温度系数(~18ppm/℃)和合适的耦合常数(K~2~0.75%)。实际应用证明,声表面波的各种特性不受晶体中杂质(铑)浓度以及L_i与T_a的组份比的影响,但却对电畴反转是否充分很为敏感。 相似文献
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本文确定了用提拉法生长钽酸锂大直径单晶(直径7.8cm,长度21cm)所需要的条件,亦验证晶体生长方向和熔体温度分布对晶体中位错密度和位错分布的影响,从而找出晶体产生开裂的可能性。 相似文献
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