长波红外n—HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系

少数载流子寿命是长波红外ＨｇＣｄＴｅ材料的重要性能参数。从大量实际数据统计中发现长波红外ｎ型ＨｇＣｄＴｅ材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有定关系,电阻比值在２￣６之间有较大的载流子寿命值,而电阻比值大于１０的寿命值较小。     

布里奇曼法生长的Hg1—xCdxTe晶体的性能

本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。     

生长MCT晶体的改进型Bridgman方法：ACRT—B

本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。     

热释电探测器达到背景限性能的可能性

本文比较了TGS、LiTaO_3、硼酸盐和其他热释电探测器的琼逊噪声与背景噪声的大小,可以看到,在角频率为探测灵敏元的热时间常数的倒数时,琼逊噪声出现最小值,对有些材料,该最小值可能比背景噪声小得多。本文还讨论了利用这一特性来制作实际探测器的有关问题。需要一种与优良的低噪声放大器配合,具有最小热容的元件,但是由于采用制作电子材料的现代技术有可能制备出比现在一般使用的要好得多的电子器件,因而元件在低频下的性能接近于背景限。     

辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素

本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。     

国外长波红外焦平面列阵现状

文中介绍了长波工外焦平面列阵的国外进展，这些列阵包括碲镉汞光电二极管、肖特基势垒器件、砷化镓／砷铝镓多量子阱光导体、高温超导体以及室温工作的焦平面列阵，其中非制冷的混合式热释电陶瓷和单片式的微型测辐射热计焦平面列阵已进入批理生产阶段。     

长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命

测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系,与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明,优质晶体中是以带间碰撞复合为主。     

制作声表面波TV中频滤波器的L_iT_aO_3晶体

批量生产L_iT_aO_3晶体的工艺技术现已建立起来了。这一工艺成本低廉,生长的L_iT_aO_3晶体能够用来制作声表面波(SAW)电视中频滤波器。用提拉法,在铂—铑坩埚中已成功地沿α轴拉制出用于SAW的L_iT_wO_3单晶直径达62—75mm,长度为130mm。具有水平取向的圆形x切刈基片是在圆柱晶锭上切出的,厚度为500μm。如果声表面波在x切割基片上沿112°y传播,则可以把体波寄生信号响应抑制到-40dB以下。它具有低的温度系数(～18ppm/℃)和合适的耦合常数(K~2～0.75%)。实际应用证明,声表面波的各种特性不受晶体中杂质(铑)浓度以及L_i与T_a的组份比的影响,但却对电畴反转是否充分很为敏感。     

大直径钽酸锂晶体的提拉生长

本文确定了用提拉法生长钽酸锂大直径单晶(直径7.8cm,长度21cm)所需要的条件,亦验证晶体生长方向和熔体温度分布对晶体中位错密度和位错分布的影响,从而找出晶体产生开裂的可能性。     

铁电晶体LiTaO_3的光散射和透射

本文叙述对LiTaO_3晶体观察到的光散射现象和在0.4μm～50μm波段对该晶体作的透射率的测量。观察了我们拉制的LiTaO_3晶体在不同的温度和电场作用下,当He—Ne激光(λ=0.633μm)通过它时所产生的光散射现象,观察结果表明:“散射中心是大小与光波波长同一个数量级的微铁电畴”这一结论是正确的。可利用这一散射现象直观地检验晶体极化处理的程度。同时,测量了晶体在退火前后、极化前后的透射率;并对这三种情况作了比较。