薄吸收区AlGaN肖特基日盲探测器在不同金属接触下的表现及机理分析

针对具备100～200 nm薄吸收区的肖特基型探测器,研究了不同金属接触对其暗电流和光谱响应特性的影响。以GaN基材料为主体,在薄层Al_0.42Ga_0.58N表面分别制备Au和Ni/Au形成肖特基接触,在Al_0.55Ga_0.45N表面以Ti/Al/Ti/Au制备欧姆接触,从而制备薄吸收区的AlGaN肖特基日盲探测器。结果表明对AlGaN材料,Au肖特基型探测器的光响应良好,达到0.10 A/W,外量子效率峰值为47%,但暗电流稍大,为3.91×10^-10 A/cm²。而Ni/Au肖特基型探测器的暗电流稳定,普遍在4.17×10^-11 A/cm²,而响应率一般,为0.07 A/W,外量子效率为33%。测试结果与仿真模型基本一致,对正照式,受势垒高度和界面损耗层等因素影响,相较Ni/Au肖特基型探测器,Au肖特基型探测器的响应范围更大、响应率更高;对背照式,吸收层的厚度对响应范围有很大影响,薄吸收区有效展宽了响应区域...