用离子束混合形成硅化钛

我们用一种新方法在硅上形成硅化物,硅片上溅射一层600 A的钛膜,在室温下用400keV4×10~(15)Xe~(++)/cm~2,1×10~(16)Xe~(++)/cm~2辐照,利用离子来混合效应形成1000A硅化钛膜.用MeV He 离子背散射方法研究了硅化钛组成和厚度并讨论了形成机制.     

As离子注入形成硅化钨的研究

大规模集成电路的发展使集成度不断提高,器件尺寸减小,线条变窄。现常用的多晶硅栅和互连,由于电阻率高,限制了集成电路的速度。近年发展起来的硅化物材料,因其电阻率低、稳定性好、自对准性能好而常被用作大规模集成电路中的欧姆接触,互连和肖特基势垒。     

钛硅之间的薄膜反应

本文用RBS及X射线衍射测量了Ti-Si界面反应生成物,证实了TiSi_2层生长服从抛物线规律,基本上是一个扩散控制过程。用离子注入Xe作标记确定了TiSi_2薄膜生长中主要扩散元素是Si,测量了硅化钛生长过程中相应电阻率变化。比较Darken扩散理论,讨论了标记实验对确立薄膜生长与扩散系数关系中的作用。     

离子束与固体相互作用中的一些物理冶金问题

离子注入及离子束混合一般包括两类物理过程:一是高速粒子与团体靶原子碰撞和级联碰撞过程,是使固体表面原子无序化过程,其结果是形成大量原子离位,造成结构损伤和缺陷;二是其后的物理化学过程,是按照热力学能量最低原则趋向有序化过程。其中,包括点阵再定位(velocation)的弛豫过程、增强扩散过程、亚稳相回到平衡态过程。在这两类过程中碰撞是整个过程的初始条件,其后物理化学过程是在这一初始条件及一定边界条件下进行的,最后决     

离子辐照下固体表面的成分和结构变化

随着离子束材料改性和离子束表面分析技术的发展,进一步了解离子束对固体表面的作用是极为重要的,为此不仅要研究离子束与固体中原子、电子的直接作用,而且要研究在这种作用下达到固体表面终态分布和微结构的各种物理过程。本文仅就离子辐照下固体表面的成分分布变化以及结构变化的最近进展情况予以评述。     

离子注入抑制金属氢脆

“氢脆”就是氢扩散到金属内部使金属原子结合力下降,基体脆化,或形成很脆的氢化物导致金属的脆断。氢几乎对所有金属都存在不同程度氢脆倾向,使金属部件产生突然的脆性断裂,如航空及宇航工业上使用的高强度结构钢在低应力静负荷下产生的破坏就是由于含有微量氢所引起。对Fe基合金,一般公认氢在合金中的传送是氢脆控制因素。金属中缺陷、溶质原子和沉淀对氢的捕获可以改变氢的传送率,因此这是抑制氢脆一种有希望的手段。例如人     

离子注入玻璃

离子注入和离子束分析技术在半导体和金属改性中已获得广泛应用,近年来又开始应用于绝缘体。在1981年第一届绝缘体辐照效应国际会议(REI-81)上,美国Sandia实验室Arnold和意大利Chinellato等发表离子注入玻璃效应的初步研究。Mazzoldi曾应用核反应分析对玻璃辐照效应进行了详细研究。 带电粒子辐照玻璃引起网状损伤并改变了表面化学成分。钠玻璃经离子注入后产生钠离子迁移,Na迁移有两种不同机构,在低质量离子辐照时以电子阻止本领为主,此时钠受到和     

多层W-Cu和Ta-Cu系统离子束混合的温度相关性

近年来,离子束混合的碰撞理论已基本建立起来,并发展了碰撞混合的计算机模拟。离子束混合过程中,化学效应可能会起着重要的作用。从一系列的实验结果中可以发现,碰撞混合理论与实验结果有较大的差别。对过渡金属/Si系统,发现一个Q—曲线规律,即在金属-Si的混合层中金属原子的数量(Q)随衬底温度倒数变化的曲线。由此,人们相信低温下碰撞混合机制起主导作用,而在较高温度(500℃以上)下,辐射对增强扩散     

Beryllium Surface Modified by B Ion Implantation

Beryllium is implanted with 100 keV,2×10~(17) B/cm~2 and post-implanted sample isannealed at 650℃ for 1 h.Hardness measurementindicates that the hardness increases withimplantation and can further be modified bypost-implantation heat treatment.Profile measurement shows that implantationcauses contamination on the surface of beryllium.During annealing boron diffuses out of berylliumand carbon on surface diffuses into beryllium.Beryllium surface is modified by compositionchange and carbide formation.