GaN肖特基器件电学性质的模拟研究

基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究MIS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响.模拟结果显示MIS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响.通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能.     

GaN基薄膜材料的均匀性测试系统

利用光学方法对GaN基薄膜材料进行无损伤测试和评价,并搭建了相应的测试系统.通过对材料紫外波段透过率的面分布测试,得到对材料均匀性的定量评价.该系统在国内首次实现了对GaN基薄膜材料均匀性量化的测试.系统的研制成功为大面阵芯片的研制提供必要的筛选手段, .对优化薄膜材料生长具有指导意义.