激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响

该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法.实验结果表明,150 ℃储存48 h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础.     

电路国产化可靠性管理

按新产品研制的立项论证、方案设计、样品研制和设计定型4个主要阶段,结合国产化项目的自身特点,分析了各阶段的可靠性工作的主要内容及管理控制重点,研究结果有利于设计人员正确开展国产化项目可靠性工作,也有利于可靠性管理人员有效控制国产化项目的可靠性工作质量。     

半导体桥电热性质初探

介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。本文同时给出了一个计算升温时间的公式。     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥多晶硅工艺优化

针对多晶硅淀积工艺对半导体桥性能影响严重的问题,开展多晶硅工艺优化实验,获得多晶硅淀积工艺优化条件,多晶硅半导体桥电阻稳定控制在1±0.07 Ω范围内,达到多晶硅桥的应用要求.     

汽车内胎的质量控制和维修保养标准

汽车内胎的质量控制和维修保养标准     

恒流作用下V型半导体桥电热特性研究

文章介绍了半导体桥（SCB）发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型，得出了SCB的夹角越小，发火电流越大，则发火时间越快的关系。但是，由于夹角受到半导体桥临界能量的影响，存在一个最小值，也是V型角的最佳角度。作者同时给出了一个计算升温时间的公式。     

汽车内胎的质量控制和维修保养标准

汽车内胎的质量控制和维修保养标准长野早男著汪欣欣胡剑书摘译涂学忠校１汽车轮胎内胎的标准日本工业标准ＪＩＳＤ４２３１—１９８７于１９９５年再版，在内容上没有修改。这里只引述有关ＩＲ内胎的主要章节。１１分类根据制作内胎材料的种类，可将内胎分为以下两类：...     

军品用塑封器件质量控制研究

塑封器件具有体积小、重量轻、易购买等优点,不可避免地被军工领域所采用。为保证军工产品质量,应针对塑封器件结构特点、主要失效机理及其质量现状,从采购渠道、入厂检验、贮存环境以及使用环节等方面入手,把控塑封器件的质量。