直流磁控溅射(Ti、Al)N硬化膜的研制

本文介绍单靶直流磁控溅射三元复合(Ti,Al)N硬化膜的研制结果。制得的Ti_(0.5)Al_(0.5)N腹具有(111)面择优取向Bl NaCl立方结构,显微硬度达到2700kg/mm~2,并具有良好的抗氧化性和抗酸腐蚀性。文中着重讨论了沉膜过强中氮分压、基片负偏压以及基片温度对薄膜显微硬度、形貌、晶粒尺寸和晶格常数的影响。     

真空击穿(二)

第二章真空击穿的引发机制真空中相距较近的电极之间,施以高电压,常会出现极间电流。开始时为微弱的预击穿电流;随着极间电压的升高,电流迅速增长;电压超过阈值时即发生真空击穿。击穿时,极间绝缘性能全部被破坏,极间电流可逾数千安。对于真空击穿的引发机制,依据电极的间距大小与表面状态等因素提出过各种解释,公认的主要有:(1)场发射现象,(2)微放电现象,(3)微粒现象。     

氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散

由于探测技术上的困难,至今对铝酸钡钙扩散阴极表面钙的研究极少。本文利用低压氧锈导下Ca向阴极表面的强化扩散,并借助俄歇电子能谱仪探索了Ca的行为和作用。主要结果是:(1)相当部分Ca以金属态形式存在于钨孔隙中活性物质的近表层区;(2)钙向表面扩散的数量和速度与阴极温度、氧的暴露量成正比,它是一种界面反应驱动下的强化扩散,其激活能约为1.34eV;(3)氧作用下阴极表面氧化钙的增加是导致阴极发射衰减的重要原因,而恢复中毒的再激活机制之一,则是高温下表面钙的蒸发逸离过程。     

微波毫米波段真空微电子器件中的电子学问题

叙述了微波毫米波真空微电子器件中阵列场发射阴极、输入和输出电路等核心部件的研究进展，讨论了克服电子横向速度分量，噪声，电导损失及发射不均匀性的方法，并对该器件内的空间电荷和阴极失效等问题进行了分析．     

电子管的可靠性问题

一、可靠性在现代电子设备中的重要性电子管是电子设备中的主要元件,电子管的可靠性要求,当然要从属于使用者对电子设备的可靠性要求。现代电子设备的复杂程度大有增长,并且使用环境更加苛刻。电子设备所起的作用和担负的任务是通讯联络,防御警戒,     

显示技术的重要地位及场致发射显示的概况

本文根据ＳＩＤ资料，评述显示技术及场发射显示的最新发展。     

真空中电击穿的物理

Ⅰ.引言真空中的一个间隙可以承受高电压而作为良好的绝缘体,这是电子技术中所熟知而经常利用的一个现象。在理想情况下,所能承受的电场强度仅限制于电极表面的电子发射,而可达到10~7伏/厘米。在实际器件中,有时在低二至三个数量级的电场强度即10~5～10~4伏/厘米时会发生击穿,而成为限制器件性能的主要因素。真空中电绝缘的重要性是因为它在近代技术中关系到下述一些器件的应用。     

电子管的发展状况

Ⅰ.电磁学的发展简史 1831年法拉第实验发现,变化的磁场会在导体中感生电流,这一发现为发电机、变压器的发展奠定了基础。 1853年凯尔文第一次详细分析了电容器经过电感回路产生振荡性放电的现象,求出该     

场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。