掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．     

含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。     

GaAs中由磁场引起的与Si施主有关的高亚稳态

本文报道了GaAs中Si浅施主的博里叶变换红外（FTIR）磁光电导谱．观察到非零磁场下从类氢束缚基态到施主高亚稳态的跃迁．采用变分方法计算了跃迁能量以及这些高亚稳态的离化能的磁场关系，并与实验结果进行了比较．     

掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．     

准二维电子系统的远红外栅压比谱

讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质，利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性，通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描，获得了二维电子气的吸收栅压比谱，由此观察到该低维系统的几类基本红外激发，包括回旋共振、二维等离子激元及电子子能带间的共振跃迁     

硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究

本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.     

浅谈多层民用住宅防雷设计与施工

随着经济建设的不断发展和自然灾害频繁发生,人们对防雷减灾工作日益重视,根据对现行有关国家防雷设计规范的理解和多年防雷技术服务工作的实际经验,本文对一般多层民用住宅建筑的防雷装置设计与施工做出了分析与总结。