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报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。 相似文献
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讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质,利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性,通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描,获得了二维电子气的吸收栅压比谱,由此观察到该低维系统的几类基本红外激发,包括回旋共振、二维等离子激元及电子子能带间的共振跃迁 相似文献
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