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利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向. 相似文献
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对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。 相似文献
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我们在室温下测量采用反射差分光谱测量了r面蓝宝石衬底上生长的a面氧化锌的平面内光学各向异性。由于a面氧化锌为C2v对称性,我们观察到在平行c轴的方向和垂直于c轴的方向存在巨大的平面内光学各向异性。在带隙处观察到了非常尖锐的跃迁振荡信号,这个信号来源于偏振相关的能带移动。激子跃迁产生了尖锐的线形。谱线的拟合和微分光谱给出了偏振相关的带隙能量。垂直于c轴和平行于c轴方向上的各向异性应变产生了巨大的平面内光学各向异性。介电函数模型给出了拟合的结果,估计了带隙附近的偏振度。 相似文献
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GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)散射机理研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文采用三角阱近似,计算了GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质沈度、以及界面不平整度等的关系.理论计算结果与实验符合很好,就作者所知考虑上述七种散射机制计算2DEG电子迁移率的工作,以前未见报道。 相似文献
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通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质.通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比,发现350℃注Mn的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注Mn的样品主要含有MnAs颗粒. 相似文献
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在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了 Ga As/Al Ga As、In Ga As/Ga As和 In Ga As/In P三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现 Ga As/Al Ga As量子阱 1 h→ 1 e跃迁的偏振度与阱宽成反比 ,与 In Ga As/In P量子阱的报道结果类似。 Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反 ,In Ga As/Ga As量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比。目前还不能很好地解释这种现象。 相似文献
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用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布 总被引:1,自引:0,他引:1
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级.蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测. 相似文献
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