0.13 μm CMOS宽带大动态范围六阶跨导电容低通滤波器

提出了一种适用于宽带大动态范围应用的六阶跨导电容低通滤波器。该滤波器为Chebyshev类型,采用开环级联结构来实现。通过一组开关电容阵列来补偿由工艺温度等因素引入的截止频率的偏差。实际测试结果表明,该滤波器的-3dB截止频率可调范围为30～100MHz,在500mVp-p输入信号幅度下,IM3为-48dB。电源电压为3V时,消耗电流25mA,芯片面积为0.5mm2。该滤波器采用TSMC0.13μm CMOS工艺实现。     

一种低电压带隙基准电压源的设计

分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性。给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采用TSMC0．13μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30-100℃范围内的温度系数为12×10^-6／℃,低频时的电源抑制比（PSRR）可达-81dB,可在1-1．8V范围内能正常工作。