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文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)闽值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析.从实验结果中.我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。 相似文献
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