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为牢固树立和贯彻落实创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,国务院发布了多项文件,对装配式建筑发展提出指导目标和方案.该文以重庆市某工程为例,探究其装配式方案及建造技术.通过对比分析,该工程选定为钢框架方案,且利用BIM技术对预制构件进行深化设计,结合理论分析及现场小规模实验,最后在装配率、造价、工期上做到了综合较优.该文采用的设计方案及建造技术,可为装配式建筑提供参考. 相似文献
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介绍了一种适用于600 V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度。基于0.35μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600 V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700 mA驱动电流,达到阈值电压后提供190 mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150 V/ns,传输延迟加开启延迟为20 ns。 相似文献
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设计基于SpringCloud框架微服务架构的融合媒体云平台,提高媒体业务流程效率。对SpringCloud的基本情况与相关组件进行概述,提出融合媒体云平台设计思路与原则,以此为基础构建有三层服务层的融合媒体云平台,设计融合媒体云平台的安全,基于“一次采集、多种生成、多元传播”的融合媒体云平台设计思路,最终构成融合媒体云平台的业务流程。 相似文献
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第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。 相似文献
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