PPV／ZnS薄膜器件发光及电导的研究

以Ⅱ－Ⅵ族无机半导体ＺｎＳ替代双层有机薄膜电致发光器件的电子传输层,以ＰＰＶ为空穴传输层和发光层制备发光器件,得到发光亮度和效率都比单层ＰＰＶ器件高的电致发光器件。器件结构为ＩＴＯ／ＰＰＶ／ＺｎＳ／Ａｌ。器件的电致发光光谱同单层ＰＰＶ器件的光说基本相同,但启亮电压只有４．５Ｖ,亮度也比单层器件高一个量级。通过ＰＰＶ层自吸收现象可塑料出发光区域在ＰＰＶ／ＺｎＳ界面处。器件的电流密度与电压的二次方式线     

8—羟基喹啉铝发光特性及老化的研究

８－羟基喹啉铝（Ｓｌｑ３）非晶薄膜发射峰同多晶粉末的发射峰启亮边的波长相同，但是非晶薄膜的发射峰比多晶粉末的发射峰红移了２０ｎｍ左右。二者的吸收光谱基本相同，说明二者的能带宽度基本相同。非晶薄膜的结构与多晶粉末不同，导致二者的导带结构不同，是二者差别的主要原因。通过地不同条件下存入的单层８－羟基喹啉铝电致发光器件的老年发现其老化的原因主要是器件工作电流的热效应引起非晶薄膜的重结晶。另外，在空气气氛     

CuS纳米掺杂聚合物光伏器件中的电荷传输

制备了CuS纳米颗粒掺杂聚合物MEH-PPV的光伏器件.研究了3种MEH-PPV/CuS掺杂比例(1∶1.00、1∶1.25、1∶2.50)光伏器件的光电流响应谱与动态双脉冲光电流响应,结果表明:CuS良好的导电性可以改善器件中的载流子传输,从而提高光电流响应值;在较低的CuS纳米颗粒掺杂浓度下,MEH-PPV与CuS纳米颗粒间形成的界面有可能造成电荷积累,会直接影响到光电流响应值;在CuS纳米颗粒掺杂浓度较高时,电荷积累现象基本消失,这是因为高浓度时形成的聚集相改善了两种载流子的传输,抑制了MEH-PPV/CuS界面的电荷积累.