多元半导器件的工艺方案

本文介绍了采用倒扣法来制作光导器件芯片的工艺方案。该方案具有工艺简单、成品率高、重复性好、光敏面的几何尺寸变化小，电阻值均匀等优点。     

HgCdTe光电导探测器列阵

已经发展了一种200元的Hg_(0.8) Cd_(0.2) Te光导列阵,列阵具有均匀的探测率。在77K,视场角(FOV)为50°时,D~*(12μm,1000,1)的平均值为3.2×10~(10)Cm·Hz~(1/2)·W~(-1)。结晶时严格地控制热流所制备得的列阵效果良好。掺入锢杂质以控制载流子数。列降由四个都具有50个单元的小基片组装成。     

碲镉汞多元列阵的成形工艺

近年来,为适应具有高分辨率和高信息速率的红外系统的需要,探测器已向多元列阵的方向发展,而这种多元列阵较易实现的是一维多元列阵和交错双线列阵。多元列阵器件在制备工艺上比单元器件要复杂得多,这是因为所要求的面积精度高、电学性能一致性好,对表面处理、电极安置和结构设计等都有较高的要求。本文介绍一种制备碲镉     

探测器芯片工作时的温度研究

在探测器工作时,本文对芯片(样品)的温度分布、热流情况、所能承受的最大偏流、偏压以及中间过渡层的热负载的工作效率等进行了探讨和解释,并提出最佳散热面积的设计方案。