基于DOB工艺的卫星导航抗干扰专用裸芯片测试板设计

针对卫星导航抗干扰专用芯片,为了在裸芯片封装前能够更快速地进行芯片功能测试,采用DOB工艺,将芯片裸片分别装联到常规矩形排列的PCB焊盘和优化后交错排列的PCB焊盘上,通过破坏性拉力实验对比发现,键合强度存在较大差异,经过优化的PCB焊盘设计更能满足DOB工艺需求,此外通过对比焊盘优化后承载裸芯片的PCB和承载封装后芯片的PCB电性能参数,验证了基于DOB工艺裸芯片测试的可行性,提高芯片测试效率,为芯片优化和上市节约时间,降低成本。     

以铜锡合金为基质的金属陶瓷镀层形成条件及机理

采用循环上流法在焦磷酸盐镀液中可以电沉积Cu—Sn—Al_2O_3和Cu—Sn—SiC复合镀层。对这种镀层的形成条件进行了研究。通过添加剂、镀液的pH值、电流密度、温度、液流速度及镀液中陶瓷微粒的含量等因素对复合镀层中陶瓷微粒含量的影响,可以证实Cu—Sn—Al_2O_3和Cu—Sn—SiC镀层的形成是电化学机理。     

新型电接触金基复合材料的研究

一、前言复合电镀的发展速度越来越快的原因主要是复合镀能使性能和特点完全不同的金属材料与非金属材料结合为一体,以满足那些靠普通镀层难以胜任的要求及场合。人们对极为苛刻条件下工作的电接触材料提出的复杂的甚至是相互矛盾的要求,常常使得任何一种单金属或合金都不能满意地适用。复合镀层作为电接触材料,其最突出的优点便是能将优异的导电、导热性能与优异的机械耐磨、耐烧伤,耐电浸蚀、抗冷焊性能结合在一     

X波段微波全息天线的仿真与设计

本文介绍了一种基于光学全息理论的全息天线,并通过仿真对全息天线工作原理进行了验证,结论表明如果在介质板上形成不同的干涉图案,就可以实现天线最大辐射方向的扫描。     

金属陶瓷复合材料的电沉积

通过对金刚石、氧化铝、碳化硅等陶瓷材料与镍或铜锡合金共沉积的研究,证实了溶液中陶瓷微粒的有效表面电荷密度和电极与溶液界面间场强是影响金属陶瓷复合材料电沉积的关键性因素.镀层中金属与陶瓷微粒之间,无新相生成,不存在明显的化学作用.实验结果表明,电化学理论能够合理地解释金属陶瓷电镀层的形成机理.     

镍-金刚石电沉积的动力学问题

通过不同电流密度下固体微粒在镀液中含量与镀层中含量的关系,研究不同粒度的金刚石微粒与镍共沉积的动力学问题.实验中发现金刚石粒度对表征微粒弱吸附特性的常数k影响很大.电极与溶液界面间场强对微粒的弱吸附也有一定的作用,但要比它对强吸附的影响小得多.     

陶瓷微粒的有效表面电荷密度在复合电沉积过程中的作用

一、前言金属陶瓷镀层是国外近十几年来高速发展起来的材料科学中的一支新军,并在工程上得到了广泛的应用.它是把一种或多种不溶性的微粒均匀地悬浮于镀液中,以电镀(或化学镀)的方法使微粒与基质金属共沉积,从而形成的复合镀层.这种镀复的方法叫复合电镀.     

基于通信系统编解码芯片的逻辑综合研究

未来大批量、小型化、低功耗设备对专用处理芯片的需求迫切,本文针对通信系统编解码芯片复杂的时钟、复位、IO设计,分别采用多生成时钟、内部复位、虚拟时钟的设置,有效的实现芯片时序的收敛,达到了较好的综合结果。     

复合镀层的新进展

用电镀方法,使溶液中不能溶解的固体微粒与金属在阴极上共沉积,可形成各种各样的复合镀层(也可称为分散镀层)。它是材料科学中的一支新军。最近十几年来,获得了极其广泛的应用。它能如此引人注意和高速发展的原因是复合镀层的生产方法,与其他制备新型材料的方法相比,有很多优点。例如,制备复合镀层的材科种类很多,可根据需要形成各种不同性质的镀层;不需要高温,操作简单,     

卫星导航抗干扰A/D芯片的可测试性设计

ASIC 集成电路设计开发中的瑕疵与电路故障是芯片实现的最大困难,本文详细介绍了基于 130nm 工艺的卫星导航抗干扰 A/D 芯片的可测性设计,并从测试的覆盖率、成本等方面提出了优化改进方案,该方案的测试覆盖率最高可达 99.93%,并缩减了测试时间和成本,该芯片顺利通过量产,证明了可测试性设计的有效性。