超晶格

所谓超晶格是指1970年江崎玲於奈博士同R.Tsu博士一起提出的人工超晶格物质而言。它是把两种半导体物质,厚度大约按着电子的德波罗意波长,周期地重叠起来的异质结多层薄膜。这样的物质在自然界是不存在的,它要通过分子束外延(MBE)、有机金属化学汽相淀积(MO-CVD)等晶体生长技术的不断提高才能制备出来。因为这两种技术不仅能进行二维晶体生长,并能控制到单分子层量级。     

砷化镓多层外延及其在场效应晶体管上的应用

用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲层(n~-)的室温迁移率在6000厘米~2/伏·秒左右,有源层的室温迁移率在4500厘米~2/伏·秒左右。用这种结构的外延片制备的 GaAs 低噪声场效应晶体管,在6千兆赫下,噪声系数(N_F)可达2.7分贝,增益可达9分贝;在12千兆赫下,N_F 为3.68分贝,增益为4.8分贝;制备的功率器件,在6千兆赫下输出功率可达550毫瓦,增益4分贝左右。使用这种系统还试验生长了欧姆接触层(n~+)-有源层(n)-缓冲层(n~-)结构的外延材料,在器件制备上已初步看到 n~+-n-n~-结构比 n-n~-结构有更好的效果。     

GaAs、GaP、InP等Ⅲ—Ⅴ族化合物的最新动向

化合物半导体,虽然发展缓慢,然而正在从工业研究阶段走向生产阶段。但是要达到目前硅那样的发展程度,仍存在不少技术上的问题。就现阶段来说,技术上期待解决的问题有:(1)增大体积降低成本;(2)实现低位错密度;(3)控制半绝缘晶体的杂质。兹分述如下: (1)增大体积降低成本,这不仅关系到大块体单晶本身,而且也关系到降低外延生长工艺和器件工艺的成本问题,所以对其要求是强烈的。硅作为化合物半导体的先行者,现在其直径已是3～4英寸,甚至还要超过4英寸,而GaAs和InP仅有2英寸左右,根据硅的经验,要使它们突破2英寸大关,就必须实现无位错化。     

关于GaAs多层外延结构C-V曲线的理论分析与实际应用

本文对GaAs FET所用的多层结构外延材料的C-V曲线进行理论分析,以求解释在科研与生产中出现的一些现象.我们提出了有源层以及有源层(A)与缓冲层(B)间界面过渡区C-V曲线的分布函数,并对这些函数及一些影响因素进行了讨论.