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MOS器件静电潜在损伤的1／f噪声监测方法 总被引：5，自引：4，他引：1
通过对MOS器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和1/f噪声的变化,发现1/f噪声对于由电静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多,在同样的静电应力条件下,1/f噪声的相对变化量比跨导的相对退化量大6倍以上,分析表明,起源于边界陷阱的1/f噪声对于静电诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷同时敏感,而电参数的变化主要取决于其中一类缺陷,因此,1/f噪声的测试可以作为一种经济、有效、完全非破坏性的工具,检测静电引起的MOS器件潜在损伤。 相似文献
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一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法 总被引：3，自引：3，他引：0
MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件下,1/f噪声的变化要比常规电参数敏感的多,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大6倍以上,因此可以作为 MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法.在给出实验结果的同时,对这一敏感性的机理进行了较深入的分析. 相似文献
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