Zn0.85Co0.15O薄膜的制备及其结构分析

用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。     

晶圆制造、运输、封装过程中Al焊垫污染源的研究

半导体芯片上Al键合焊垫在集成电路器件良率测试和封装中是非常重要的。研究焊垫污染来源对晶圆制造和金线键合工艺的改进将会有极大的帮助。结合案例采用扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线探测器(EDX)、透射电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)等分析研究了焊垫污染的来源。结果表明,键合焊垫上的F沾污的来源可能与顶层金属蚀刻或焊垫打开过程中的蚀刻气体或者运输相关;异常焊垫上较高的C和O可能是在晶背减薄过程中引入的;运输过程中的包装纸导致了异常焊垫上O和K沾污;异常焊垫上的Si尘埃形成于晶粒切割过程中;焊垫腐蚀区域的Cl则来源于焊垫蚀刻气体。     

混凝土碱骨料反应问题及预防措施

详细论述了混凝土碱骨料反应的机理 ,对几种碱骨料反应的研究方法进行了比较 ,结合有关规定 ,提出了综合预防和抑制混凝土碱骨料反应的方法和措施     

半导体器件金属互连电阻失效分析方法研究

晶圆的失效分析在集成电路制造中起着十分重要的作用.通过对器件的失效分析,可确定器件的失效机理,并及时改善工艺.阐述了WAT(晶圆验收测试)中金属互连电阻(Rc)失效分析的优化流程.根据不同的金属互连电阻失效模型,如阻值偏低、阻值偏高以及断路,选择合适的失效分析方法,从而可以快速准确地揭示器件金属互连电阻失效的根本原因.     

NROM器件位线失效分析

NROM（Nitride Read Only Memory）位线（Bit Line,BL）是通过离子注入的方式,由硅衬底掺杂形成的源极／漏极区组成,被称作埋入式位线（Buried BL）。由于衬底掺杂及其浓度分布无法直接通过扫描电子显微镜（SEM）或透射电子显微镜（TEM）剖面形貌分析的方法获得,并且单一结区形貌很难反映整个器件的特性,所以在由掺杂引起的器件失效分析过程面临很大的挑战。本文结合深亚微米NROM制程中,晶圆级电性测试（wafer accept test,WAT）参数Pt（BL到BL之间的击穿电压）和Ⅰoff（关态电流）失效分析的案例,介绍了一种新的物性失效分析方法-间接剥层的方法来显示衬底形貌,可以清晰地观察到埋入式位线的失效区域。