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1.
苏国和  陈自雄   《电子器件》2008,31(1):220-224
薄膜材料的绕组处理是在一个高度非线性的动态系统中维持应力不变.提出一个为薄膜材料的绕组处理在不同摩擦锟供料速度下的适应模糊应力的控制系统.该提出的适应模糊应力的控制系统包括一个模糊应力控制器和一个适应调谐器.模糊应力控制器是主进度控制器,一个平移宽度的概念和变化模式技术被包括在模糊推论中以矫正模糊现象,而且只有一个参数因素需要被调整.为了对抗在实际应用中的不确定,一个失真压力的控制系统占据着简单控制框架,无震颤的,稳定跟踪性能和对不确定性的鲁棒的优势.与传统的比例积分应力控制方法相比较可提出的这种控制方法有显著的优势.  相似文献   
2.
陈自雄  苏国和  HUNG C.T.   《电子器件》2008,31(1):52-56
用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0.31NxAs1-x/GaAs 的单量子阱的光学特性作了研究,在单量子阱的反射光谱中,观察到 GaAs 能隙之上的 Franz-Keldysh 振荡和来源于量子阱区的各种类激子跃迁,Franz-Keldysh 振荡确定量子阱的内建电场并发现它是随 N 的浓度增加而增加;反射信号随样品中氮耦合增强而减弱,因为温度降低时载流子的定域作用导致调制效应的弱化.激子跃迁的能量和温度关系按照 Varshni 和爱因斯坦一玻司方程作了研究,在 PL 谱中观察到的 11H 跃迁能量和谱线展宽的温度反常关系解释为起源于氮耦合所引起的定域态,这种样品的谱线特征为随氮成份增加出现红移,氮结合作用的另一个结果是晶体的性质严重退化,明显地表现线宽受温度的影响增大.总之,氮引进系统会观察到GaAs 边带以上的 FkO 导致内建场增大,有低温时高激发态叠加并屏闭在定域态上的部分调制外场作用的倾向.PL 峰能量和线宽对温度的反常关系可以理解为由氮的结合作用引起的形成定域态和去除定域态的竞争结果.  相似文献   
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