全文获取类型
收费全文 | 64篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 7篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
化学工业 | 3篇 |
金属工艺 | 14篇 |
机械仪表 | 38篇 |
矿业工程 | 2篇 |
轻工业 | 1篇 |
无线电 | 11篇 |
一般工业技术 | 5篇 |
冶金工业 | 1篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 2篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 4篇 |
2012年 | 3篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 9篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
排序方式: 共有76条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验 总被引:1,自引:0,他引:1
化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。 相似文献
5.
6.
滚切齿数大于100质数斜齿圆柱齿轮 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了滚切齿数大于100质数及其整数倍的斜齿圆柱齿轮的调整公式;并重点介绍了挂轮的回路计算器法。实践证明:使用这种计算方法能有效地提高挂轮的计算速度。 相似文献
7.
装配尺寸链中修配法装配的公式推导 总被引:4,自引:1,他引:3
通过对修配法装配过程的分析,推导出一套确定修配尺寸及修配量的通用公式,使复杂的分析计算得以简化,且有规律可循 相似文献
8.
柔性显示已成为下一代显示技术的研究热点,不锈钢材料是柔性大尺寸显示器衬底的主要材料之一。为优化不锈钢表面的超光滑无损伤加工,采用化学机械抛光(CMP)技术,通过正交试验,研究磨料粒度尺寸、分散剂、氧化剂、磨料质量、缓蚀剂用量等因素对抛光后材料去除率和表面粗糙度的影响。试验结果表明:磨料粒度尺寸对表面粗糙度的影响最大,其次为双氧水、丙三醇、草酸、磨料质量;影响材料去除率的因素排列是磨料粒度尺寸、磨料含量、丙三醇含量、草酸含量、双氧水含量。 相似文献
9.
基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性 总被引:1,自引:0,他引:1
为了掌握化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的去除行为,根据CMP过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率构成成分模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果显示,机械与化学的交互作用率为85.7%~99.1%.磨粒的机械作用率为69.5%~94.0%,磨粒的机械与化学交互作用率为55.1%~93.1%.由此可见,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒与抛光液的机械化学交互作用引起的材料去除率是主要的材料去除率.研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据. 相似文献
10.
硅片化学机械抛光(CMP)是机械作用与化学作用相结合的技术,硅片表面的化学反应层主要是由抛光液中磨料的机械作用去除,磨粒对硅片表面的摩擦和划擦对硅片表面材料的去除起着重要作用。磨粒在硅片表面上的划痕长度直接影响硅片表面的材料去除率。本文首先在实验结果的基础上分析了硅片CMP过程中磨粒的分布形式,然后根据运动学和接触力学理论,分析了硅片、磨粒及抛光垫三者之间的运动关系,根据磨粒在硅片表面上的运动轨迹长度,得出了材料去除率与抛光速度之间的关系,该分析结果与实验结果一致,研究结果可为进一步理解硅片CMP的材料去除机理提供理论指导。 相似文献