一种新型CMOS电流控制电流传输器

提出了一种基于共源共栅电流镜的CMOS电流控制电流传输器(CCCⅡ)电路。该电路由跨导线性环电路和共源共栅电流镜构成。相对于基于基本电流镜的CMOS电流控制电流传输器,该电路具有输出阻抗更大以及电流传输精度更高的优点。分析了电路的工作原理,给出了实验结果,验证了电路的正确性。     

一种基于MEMS传感器基准电流源设计

基于微机电系统传感器工作原理,提出了一种应用于MEMS传感器系统的低温度系数和高电源抑制比基准电流源设计方案。在研究传统Widlar型基准电流源结构基础上,运用BJT小信号模型分析,得出通过增大反馈环路增益来提高PSRR的结论。     

宽范围 CMOS差分式双端输入-输出电流传输器

基于宽线性跨导及共模检测电路,设计了一种改进型差分式双端输入-输出电流控制电流传输器电路(DIDOCC)。该全差分式电路具有电流控制功能,并能抑制偶次谐波和共模干扰。仿真结果表明,在-1.5～+1.5V供电电压下,总静态电流约为300μA,X1、X2端差分电压输入动态范围为-0.9～0.9V。基于DIDOCC电路,设计了一种全差分二阶滤波器,仿真结果与理论值较为吻合。文中所有电路均基于0.25μmCMOS工艺。     

基于MOCCII的低压低功耗自偏置CCIII的设计

采用TSMC 0.35 μm工艺参数,基于多输出端第二代电流传输器(MOCCⅡ)提出了一种新型CCⅢ电路,电路采用轨对轨的输入结构,有效地提高了信号摆幅;通过电路内部晶体管提供偏置,达到了减少芯片面积和降低功耗的目的.HSPICE仿真结果表明,在±1V供电电压下,该CCⅢ的电压跟随误差为0.06 dB,-3 dB带宽为434.3 MHz;端口Y与X之间的电流跟随误差为0.06 dB,-3 dB带宽为381.2 MHz;端口Z+与X之间的电流跟随误差为0.02 dB,-3 dB带宽为334.1 MHz;端口Z-与X之间的电流跟随误差为0.05 dB,-3 dB带宽为665.8 MHz;整体电路的功耗为2.133 mW.据CCⅢ电路设计了一种电流模式带通二阶滤波器,结果与理论值较吻合.     

基于MOCCⅡ的低压低功耗自偏置CCⅢ的设计

采用TSMC0.35μm工艺参数,基于多输出端第二代电流传输器(MOCCⅡ)提出了一种新型CCⅢ电路,电路采用轨对轨的输入结构,有效地提高了信号摆幅;通过电路内部晶体管提供偏置,达到了减少芯片面积和降低功耗的目的。HSPICE仿真结果表明,在±1 V供电电压下,该CCⅢ的电压跟随误差为0.06 dB,-3 dB带宽为434.3 MHz;端口Y与X之间的电流跟随误差为0.06 dB,-3 dB带宽为381.2 MHz;端口Z+与X之间的电流跟随误差为0.02 dB,-3 dB带宽为334.1 MHz;端口Z-与X之间的电流跟随误差为0.05 dB,-3 dB带宽为665.8 MHz;整体电路的功耗为2.133 mW。据CCⅢ电路设计了一种电流模式带通二阶滤波器,结果与理论值较吻合。     

天然气储配站罐区的重大危险源识别与风险控制

基于重大危险源评价方法,分析天然气储配站储罐区的固有危险性和危险抵消因素,对重大危险源进行风险分析和评价,最终得出储气区的危险等级为4级,控制能力等级为C级,控制能力和危险等级相匹配,储气区的安全风险可控的结论。提出管理措施和建议,为今后类似的储配站的建设、维护管理等有借鉴意义。