半导体纳米线红外探测研究进展（特邀）

近年来,红外探测器由于其在军民领域广阔的应用前景已经受到了越来越多的关注。为了进一步实现室温宽谱段、高灵敏度、快速响应以及低功耗的红外探测器,低维半导体作为极具潜力的新型沟道材料得到了广泛的研究。其中,纳米线有着独特的电学与光电特性,当被应用到红外光电探测器中时,展现出了巨大的优势,例如尺寸小、功耗低、光吸收效率高、表面态丰富、易于光电子分离与收集以及与传统硅基工艺兼容等等。当前,对于纳米线红外探测器的研究一直在进行中并不断取得突破。文中主要概述了纳米线在红外光电探测领域的最新研究进展,介绍了半导体纳米线的基本特性、材料选择和制备方法,展示了多种二元与三元化合物半导体中已实现红外探测的纳米线材料及其当前研究达到的探测水平,并且分类总结了多种进一步提高光电探测性能的方法,包括异质结合、外场调控、器件集成等,随后针对不同构型纳米线红外探测器的优缺点,进行了简要的对比与说明,最后基于该领域仍然面临的挑战对其未来的发展方向进行了展望,并为其技术发展路线提出了初步的建议。     

阴离子（NO3－／Cl －／SO2－4）对 Ni（OH）2晶型及其结构稳定性的影响

采用超声波辅助沉淀法分别在单元掺杂、二元掺杂和不掺杂三种情况下制备了三种不同镍源的纳米氢氧化镍,研究三种阴离子（NO3－,Cl－,SO2－4）对产物晶相结构及稳定性的影响。结果表明：未掺杂时,半径较大的SO2－4离子有利于α‐Ni（OH）2的形成;在单掺杂Co（Ni2＋∶Co2＋＝1∶0．20）时,NO3－离子不仅有利于α‐Ni（OH）2的形成,而且可以使α‐Ni（OH）2在碱液中保持较高的稳定性;当复合掺杂Co／Cu（Ni2＋∶Co2＋∶Cu2＋＝1∶0．15∶0．05）时,三种镍源制得的样品均为纯α‐Ni（OH）2结构,但以Ni（NO3）2为镍源的α‐Ni（OH）2在碱液中结构稳定性较高,NiCl2次之,NiSO4较差。可见,α‐Ni（OH）2结构及稳定性既与掺杂情况有关,也与阴离子密切相关。