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1.
MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
胡雨生
胡福义
汪乐
李爱珍
范伟栋
《半导体学报》
1993,14(3):133-138
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。
相似文献
2.
As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为
范伟栋
王渭源
《半导体学报》
1989,10(3):230-232
研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.
相似文献
3.
正泰1kW PDM发射机音频处理器原理及维护
张延峰
范伟栋
杨云霞
《内蒙古广播与电视技术》
2011,(3):68-69
本文分析了正泰1kW PDM发射机音频处理器原理及核心原件NE570集成块的内部电路,并对一次故障检查和排除过程进行了介绍。
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