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介绍了新型TFT-LCD黑矩阵细线化研究。在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果。实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5μm。在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5μm。通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0μm,达到5.0~5.5μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求。 相似文献
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随着汽车向智能化和互联化发展,汽车电磁兼容性(EMC)变得越来越重要.相较于传统的在最后阶段解决电磁兼容问题,将EMC设计和风险控制纳入早期设计阶段至关重要,可以有效实现这一目标的仿真技术也变得愈发关键.通过仿真还可以研究许多电磁兼容问题,如模块级和系统级的电磁干扰(EMI)测试的不一致问题.但由于计算资源、计算机算法的限制以及关键信息的缺乏,汽车电磁兼容的仿真往往具有很大的挑战性.本文以电机驱动系统对安装在混合动力电动汽车(HEV)上的射频天线的射频干扰为例,说明了混合动力车辆级仿真面临的挑战,提出了一种分而治之的解决方案,并验证了其有效性. 相似文献
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