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<正>图4a和4b分别为在UV-近红外光谱,刚沉积和经后退火工艺两种情况下的Ti O2膜。以上两种情况在可见光区域透射比几乎相同,与后退火无关。O2流量为10~50 sccm时,沉积的Ti O2膜在可见光区域具有的高透射比约为0.70。图5a为Ti O2膜在暗处停留60 min后,相应乙醛(CH3CHO)浓度与UV照射时间的关系。O2流量为10 sccm时,沉积的Ti O2膜相应CH3CHO 相似文献
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研究了薄膜沉积方法,基于空心阴极金属溅射,在基材附近提供反应气体。工作气体和携带溅射原子通过一个狭长通道从阴极出来,这样,反应气体被阻止到达靶面。用Cu靶和脉冲电源激励,研究了阴极的基本运作。研究包括沉积率对电源、压强、气体流量和膜厚分布的依存关系,以及膜电阻率作为基材上的状态函数。用模型进行计算气体的速度分布和在腔内的压强,Al2O3膜是在氧的活性环境下溅射一个Al靶获得的,必须指出只要极少量氧气通过阴极就能氧化（中毒）靶,而外面大量氧气完全不会影响靶,在后者模式下实现了非常稳定的放电且易形成的Al2O3薄膜。利用该方法制备透明的ZnO导电膜,掺杂Al或B,达到了高沉积率,且在适当氧流量下得到了低的膜电阻率。同时,制备了高迁移率的In2O3：Mo透明导电膜,电阻率仅有1．9×10^-4Ω·cm。给出了空心阴极的比例关系、沉积效率,比较了磁控溅射和直线的活性环境空心阴极溅射。 相似文献
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透明导电氧化物薄膜，例如SnO2、ITO、ZnO，有很多应用，如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺杂氧化锌膜用射频或脉冲直流溅射陶瓷靶，它含有ZnO和2％（重量比）Al2O3，无论如何靶的代价是过高的，而能用的功率密度是有限的。最近反应磁控溅射Zn：Al靶受到关注，虽然它需电压控制和氧分压强的闭环控制以保证工作在金属／氧化物过渡模式。 相似文献
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有沾污的金属片清洁是用HPLC级水与金属表面接触角的测定来进行，接触角用量角测量，更精确用动态接触角仪测量，所有测量中都用水10μL。样品从系统取出后立即进行接触角测量，用等离子放射浓度Dpl来研究接触角。Dpl定义为阴极功率肜与阴极长度三。和金属带传送速度vs乘积之比。 相似文献
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开发了可进行线性放大的等离子源，在活性等离子体中用于清除金属在压轧时的油污。本文提供了等离子源的设计和性能，表面清洁度是用和水的接触角来估计的；氧的等离子体对油的去除作用进一步用X射线光电子谱仪来观测，以铝和不锈钢金属来说明清洁结果。 相似文献
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S—域行为描述的模拟集成电路综合方法 总被引：1，自引：1，他引：0
本文提出了一种通用的、从Ｓ－域输函数入手进行模拟集成电路结构级综合的方法，并详细地讨论了提高电路性能和合格率的电路技巧。 相似文献
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槽式抛物面太阳场运行温度的提高,由400℃至＞450℃,能增加总太阳发电效率和减小槽式抛物面发电厂的发电成本.当前的太阳选择性涂层不具备在较高工作温度所需的稳定性和工作性能.本文目的是开发更有效的太阳选择性涂层,在高于450℃时有高的太阳吸收比(α＞0.96)和低的热发射比(在450℃时,ε＜0.07),他们在高于450℃是热稳定的,在空气中是理想的,且具有改善了耐久性和生产制造性,因此减少了成本,利用计算机辅助光学设计软件,使多层太阳选择涂层具有超过目标的光学性能(吸收比为0.959,450℃时发射比为0.070)和比一般商业涂层有更低的热损失,那些具有高热稳定性的材料用计算机模型化了,这些超过设定的目标1％的发射比约等于1.2％吸收比.关键问题是沉积涂层的方法,为了沉积这单独的一层层薄膜,为了模型化的选择性多层结构的原型,使用由离子束辅助(IBAD)和电子束(电子束)共同沉积,这是由于它的灵活性和低的材料成本,实验工作聚焦在模型化的高温太阳选择性涂层;沉积一个个单层和模型化的涂层;测量光、热、形貌和成分等性质,并利用数据使模型化和沉积特性的有效性;涂层再优化;测量涂层工作性能和耐久性,将描述开发一个耐久的和先进的选择性涂层的过程. 相似文献
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集成电路合格率优化方法的研究 总被引：1，自引：1，他引：0
本文引入了一个概率空间来描述集成电路合格率优化问题，并将合格率表示为可行域的概率测度。所提出的变权重ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法适合于合格率不太高的场合，而改进后的ＳＡ算法则适合于合格率比较高的场合。这些方法已应用于ＹＯＳＩＣ系统中，并取得了满意的效果。 相似文献
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