第二届全国发光学术会议在厦门鼓浪屿召开

第二届全国发光学术会议,于1980年11月22日—29日,在福建省厦门鼓浪屿召开。这次会议主要进行发光学方面的学术交流。参加会议的有89个单位,193名代表。会议收到138篇论文和报告,其中发光物理方面的17篇;稀士材料发光方面的20篇;     

Hg_(1—x)Cd_xTe的阳极氧化薄膜

本文叙述了将Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.205)放在0.1MKOH甲醇溶液、90%乙二醇和10%具有PH值为6—10的缓冲水溶液中,阳极氧化形成氧化物。介绍了阳极氧化薄膜的光学性质:如折射率和带隙;电学性质:如室温和77K下的介电常数,比电阻率;化学性质:在各种溶剂中的反应能力。这些性质表明:自身氧化物的主要成分是TeO_2。     

掺磷低压化学汽相沉淀的硅薄膜

本文对于低压化学汽相沉淀方法沉积的多晶硅薄膜的电导性能进行了研究,并与大气压下沉积的薄膜的导电性能作了比较。低压薄膜在580℃和620℃下沉积成,然后用离子注入法掺入磷。在620℃下沉积的薄膜是多晶膜,而在580℃下沉积的薄膜最初是无定形膜,但经过热处理后,它就变成结晶膜。对于两种不同掺磷剂量的低压膜,研究了退火温度对电阻率的影响,发现电阻率随退火温度的升高而减小。580℃下沉淀的薄膜经退火后,它的电阻率总是比620℃下沉淀的薄膜的电阻率低,而且在退火温度较低的情况下,两者的差别最为显著。在第二组实验中,注入的磷量范围很宽,相当于平均掺杂浓度在2×10~(15)—2×10~(20)cm~(-3)之间。只有在浓度低于2×101~(15)cm~(-3)和高于2×10~(20)cm~(-3)的情况下,电阻率才是掺杂浓度的一个慢变化函数(Slowfunction);而浓度在2×10~(15)cm~(-3)和2×10~(20)cm~(-3)之间时,掺杂浓度稍有改变就会使电阻率发生很大的变化。如上所述,在580℃沉淀的薄膜,其电阻率总是最低,在掺杂浓度居于中间的情况下,这尤其显著。测量了霍尔迁移率,发现它在掺杂浓度近于6×10~(18)cm~(-3)时有一最大值,而且随掺杂浓度降低急速减小。可以预料,所观察到的霍尔迁移率的这种变化特性与薄膜是由含有大量载流子陷阱的晶粒间界环绕的微晶构成这一解释相一致。     

600℃小体积风冷黑体的研制

用一实锥和一空锥构成二锥腔,付诸黑体模拟,得一双倒锥黑体腔。用它做一小黑体,标定结果,发射率ε=0.986,和设计值相近。同时介绍黑体配件——一个带风机廷时的黑体控温电路。     

Zn S(Mn.Cu)薄膜的低压直流电致发光

为获得适于低压工作的直流电致发光器件,利用蒸发技术制成ZnS(Mn.Cu)薄膜。这类器件加上较低的直流电压时表现出的亮度高于过去报导过的粉末型或薄膜型器件达到的亮度。电压低至25伏时,获得的典型亮度为10fL(呎/朗伯)。提供了在直流和脉冲下工作的器件的研究结果。直流电致发光器件的寿命试验表明:其耐久性(Maintence Characteristics)良好,工作达3500小时之久时还未发现明显的老化现象。