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ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECRPlasmaCVD)法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一.本文报道了ECRPlasmaCVD法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等 相似文献
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ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究 总被引:3,自引:2,他引:3
本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECRPlasmaCVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性. 相似文献
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高水平抗辐射CMOS/SOS集成电路 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作采用先进的全离子注入低温工艺,研制成八个高水平4000系列小规模CMOS/SOS集成电路品种,它们是SC_(4001)、SC_(4002)、SC_(4011)、SC_(4012)、SC_(4013)、SC_(4030)、SC_(4066)及SC_(4069)。这些电路除了电学参数满足相应体硅CMOS电路以外,还具有优良的抗辐照特性,其抗γ总剂量达1×10~7rad(Si),抗γ瞬态剂量率达5×10~(10)rad(Si)/s以上。 本文简要介绍CMOS/SOS器件抗γ总剂量辐照及抗γ瞬态辐照的基本考虑以及辐照实验的结果。 相似文献
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本文介绍了用电子回旋共振(ECR)H2/N2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法,并保持了InP衬底表面原有的有序结构,给出了这种处理方法的工艺条件,对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论,得出了一些有价值的结论 相似文献
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本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECRPlasmaCVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性. 相似文献
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