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一、引言 目前国内不少单位,在制作大规模集成电路光刻掩模版时,都采用国外的高解象力干版,以直接精缩的办法,为生产线上提供光刻版。这样做,虽然在光刻版的几何图形完整率上得到了有效的保证,但是,高解象力干版感光层不能经受在接触式曝光中的摩擦,它的使用寿命受到很大的限制。在具体应用中,仅通过四次以下的接触式曝光,掩模版面的几何图形便出现损坏,随着光刻次数不断增加,版面的几何图形损坏率激增。同时,由于采用精缩方法直接制作掩模版,生产效率很低,不能很好地满足生产线光刻的需要。 相似文献
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出于本厂生产技术需要,笔者由80年下半年开始对低反射铬版经过从理论探索、实际设想到反复试验的一系列努力,完成了对低反射铬版的整个试制工作,又经过近二年的正式生产应用,并对该版作多次光学数据测定表明,在低反射率、膜厚、紫外光谱和可见光谱吸收率等技术指标上,均达到引进线生产的低反射 相似文献
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