SAWF用钽酸锂晶体表面微观形态的表征

声表面波滤波器(SAWF)的主要特点是设计灵活性大、模拟／数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰性能好、可靠性高、制作的器件体小量轻，适应了现代通讯设备的高频化、数字化、高性能、高可靠性的要求。     

SAW传感器后端信号处理电路的设计

介绍声表面波(SAW)气体传感器原理及其信号处理电路原理,重点设计了传感器的频率检测电路.该频率检测电路基于FPGA技术,利用VHDL语言对各电路子模块编写了相应的代码,并用EDA软件QuartusⅡ完成了对电路的设计.该频率检测电路的测频范围为0.1～100 MHz.仿真和实验结果表明,设计相对误差较小,满足了SAW气体传感器的要求.     

声表器件压电单晶基片表面损伤的电子显微研究

声表面波（SAW）器件是雷达、通信、空中交通管制、导航等电子通讯系统中的关键部件。SAW所用的压电器片需要经过单晶切割、研磨、抛光处理，这些加工过程会引起晶片表面损件，文献曾报道了在半导体单晶基片加工损伤层研究中应用的一些方法，由于各种分蘖节发析测试方法有其各自的分析内容、测试范围及制样方法、任何一种方法似乎都难以完全诠释晶体损伤层结构。     

高功率行波管收集极中BeO瓷的表面分析

对于高功率行波管收集极的研制 ,其内筒和外水套材料选用无氧铜 ,而在内筒外壁上密排列着若干适当形状尺寸的ＢｅＯ瓷棒 ,它们起隔离内筒和外水套作用。鉴于ＢｅＯ陶瓷的导热能力强 (其热导率与金属铝接近 ) ,电子注通过高频系统进入收集极内筒产生的热量可直接被ＢｅＯ瓷棒导走 ,降低收集极工作温度。我们知道 ,行波管在优化的排气工艺条件下 ,收集极必然要承受几百摄氏度的温度 ,而且其内部的真空度一般也很高 ,严格来说 ,此时ＢｅＯ散热棒的高绝缘体特性 (10 4ＭΩ)不会发生改变。但是测量发现 ,上排气台后ＢｅＯ瓷棒的绝缘性能已经不能…     

DM10kW数字调幅中波广播发射机故障分析

本文是作者几年来对海纳厂生产的中波广播发射机故障排除经验的总结。     

BaTiO3基PTC陶瓷Ca掺杂的扫描电镜研究

对ＢａＴｉＯ3基ＰＴＣ陶瓷进行替代掺杂 ,合适的掺杂量会改善ＰＴＣ效应、室温电阻、耐压性能。当掺杂合适的Ｃａ ,可使晶粒尺寸变小 ,均匀性提高 ,从而大大改善其ＰＴＣ材料耐压性能[1] 。对需改善耐压性能的产品 ,可采用此方法。本研究利用ＴＮ5 40 0能谱仪和ＤＸ -3扫描电镜对掺杂Ｃａ的ＢａＴｉＯ3基ＰＴＣ陶瓷进行观察分析 ,研究掺杂Ｃａ与ＰＴＣ陶瓷微观结构关系 ,Ｃａ在晶粒、晶界分布情况及其分布与耐压性能 ,瓷体表面状况的关系。此研究有助于改善ＰＴＣ耐压性能和调控ＰＴＣ生产工艺。使用ＴＮ5 40 0能谱仪及ＤＸ -3电镜在工作电…     

一种电流检测PFM型LED驱动IC的设计

基于开关电源系统基本理论,采用电流检测脉频调制(PFM)模式,设计了一种新型大功率LED照明恒流驱动芯片.利用0.5μm CMOS工艺模型仿真,结果表明,该芯片具有高电源抑制比、2.5～400V宽输入电压范围、10 kHz～2.5 MHz可调工作频率和多种保护功能,LED驱动电流范围为几mA到1A,可驱动1个到几百个LED灯,特别适合大功率恒流驱动.     

石英微机械振动陀螺振子的失效分析

微机械惯性器件是振动惯性技术和微电子技术相结合的产物，是振动惯性技术的延伸和发展，这就决定了该器件具有价格低、可靠性高、尺寸小和质量轻等突出特点。目前，它已成为经济发达国家研究的热点，也开始引起国内外惯性技术界的高度重视。     

RF MLCC热应力分析

采用有限元方法,应用ANSYS软件．模拟不同内电极结构和不同端电极厚度的RF MLCC在热冲击时的热应力分布。模拟结果显示：端电极倒角处、银电极与内电极引出端的接触处所受von mises热应力较大．是热应力下RF MLCC结构中最薄弱的部位：结构中的峰值热应力随温度循环次数的增加而增加,五次循环后的热应力约为首次循环的4．5倍;悬浮内电极结构银电极上的最大热应力远小于正常内电极结构;增加银电极厚度可以大大减小热应力,对于13层悬浮内电极结构的RF MLCC．银电极厚度增加一倍,其所受热应力最大值减少约50％。本次仿真结合了自由划分和映射划分,并且多次局部细化网格,消除了畸形网格,使得各次仿真的能量准则百分比误差均小于2％。为分析RF MLCC热失效机制、优化结构、提高其可靠性提供了理论依据。     

SiO_2薄膜致密性的表征

论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。