立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究

用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In     

立方相InCaN的稳态和瞬态我学特性研究

用光荧光和时间分辨光谱技术研究了ＭＥＢ生长立方Ｉｎ１－ｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．１５０．２６）外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明ＩｎＧａＮ发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为６０ｍｅＶ左右。荧光衰退呈现双指数特性,快过程（５０ｐｓ,１２Ｋ）是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程（２００￣２７０ｐｓ,１２Ｋ）则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局     

InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究

用简并激发－探测技术研究了７７Ｋ温度下ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点中载流子快速俘获和驰豫过程,在瞬态反射谱测量中,降观察到与ＧａＡｓ有关的驰豫过程外（时间常数约为１ｐｓ）,还观察到一个时间常数为几个至２０ｐｓ的反射率上升过程。提出了一个物理模型,表明上述上升过程与光致载流子被ＩｎＡｓ层快速俘获过程有关,并由此得到载流子的俘获时间,俘获时间随载流子浓度增加而减小。     

纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究

介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随栅极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性.     

自组织生长InAs量子点发光的温度特性

本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．     

硅单电子晶体管的制造及特性

报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流-电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.器件的总电容约为9.16aF.在77K工作温度下,也观测到明显的电流-电压振荡特性.     

CdSe四脚状纳米颗粒的光学性质

主要研究了高产率CdSe四脚状纳米颗粒的时间分辨光学性质.结果表明在氯仿溶液中和均匀涂布在绝缘硅片上的CdSe四脚状纳米颗粒室温下的光致发光(PL)衰减曲线均可以用一个双e指数的衰减函数来拟合,荧光寿命短的部分对应快衰减,而寿命长的部分对应慢衰减.通过分析荧光寿命与PL峰的能量的关系可知,快衰减和慢衰减分别来自于非局域态载流子和局域态载流子的贡献.通过比较溶液中和硅片上两种情况的快衰减和慢衰减系数的比值,得出结论:CdSe四脚状纳米颗粒的PL快衰减和慢衰减分别来源于纳米颗粒中非局域态和颗粒表面缺陷中局域态的贡献.     

CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究

采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发现低温时四脚晶粒的光荧光主要来自于被表面缺陷所局域的激子的辐射复合,而随着温度升高,束缚激子被热激发,室温时光荧光主要来自于自由激子的贡献。CdSe纳米量子点的退局域化温度比四脚纳米晶粒的高,而12K时CdSe纳米量子点的局域化能量比四脚纳米晶粒的也大得多,并对这一现象作了解释。     

GHz频带声表面波谐振器的研究

本文叙述了GHz频带声表面波谐振器的设计、制造和试验结果.对两种不同模式的声表面波谐振器进行了研究,它们是瑞利波型谐振器和表面横波型谐振器.对两种波型谐振器的频率温度特性进行了比较.最后对表面横波(STW)谐振器在振荡器中的应用进行了研究.     

低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱

利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0+△0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.