3DK405型高频高速高反压开关功率晶体管的研制

３ＤＫ４０５型高频高速反压ＮＰＮ开关功率晶体管研制成功，集电极最大耗散功率ＰＣＭ≥２００Ｗ，集电极最大电流ＩＣＭ≥３０Ａ，双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥４５０Ｖ，特征频率ｆＴ≥８０ＭＨＺ，下降时间ｔｆ≤０．１ｕｓ，居国内领先技术水平。     

160W／20A,NPN／PNP型硅功率达林顿对管研制

本文通过１６０ＯＷ／２０Ａ、ＮＰＮ／ＰＮＰ功率达林顿对管的研制，介绍ＦＨ３０９１ＲＨ３１０处延平面达林顿对管基本设计考虑，研制主要难点，采取的主要措施，研制结果与应用。     

SiO2,α—Si,Si3N4薄膜在表面钝化中的选择应用

本文基于对Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、α－Ｓｉ薄膜本身结构及其层间结构的分析，在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践，在Ｓｉ３Ｎ４－α－Ｓｉ－ＳｉＯ２结构中解决了由ＳｉＯ２／Ｓｉ界面的表面电荷及ＳｉＯ２中Ｎａ＋的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。