OLED:切入时机已到 技术选择是关键

如何对待很可能成为下一代平板显示技术发展方向的AM-OLED(有源矩阵有机发光二极管)技术是近两年困扰我国FPD(平板显示)产业的一个重要问题,尤其是随着今年商用OLED电视的若隐若现,这一话题在不同场合被产业链不同人士多次提起,有关是否应该不再发展"全球性亏损的、产能过剩的"TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)产业而重点投资OLED产业的讨论更是不绝于耳。《中国电子报》在近日就此事深入采访了数位知名专家,又受液晶分会之邀参加了相关话题的专家座谈,现将几次采访的观点刊登如下,以飨读者。     

电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性

报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。     

电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性

报导了电子辐照高阻NTD－FZ－Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的DLTS港和相应的少数载流子寿命，对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。     

超扭曲液晶盒缺陷现象及分析

在单色模式STN—LCD中,由于受到盒厚控制、表面排列及各种材料等方面的制约,其缺陷形式多种多样。例如四种不同的彩虹现象虽然均是盒厚或表面处理造成,但表观形式和实质有许多的不同。本文列举了STN—LCD中常见的缺陷及间单分析了产生这些缺陷的原因。     

狭缝光栅开口率与裸眼3D显示串扰之间的关系

研究了狭缝光栅开口率和3D串扰之间的关系。先采用固定式的狭缝光栅显示器件进行实验,发现2%～4%光栅开口率的增加导致了0.2%～2%串扰的增加,初步验证了"光栅开口率越高,3D串扰越大"的规律。考虑到2D显示产品的个体性能差异以及在贴合过程中的操作误差都可能对这个结果产生影响,又用TN盒制作成活动式狭缝光栅,通过改变电压来改变狭缝光栅的开口率,从而在其他条件都一致的情况下,测试出狭缝光栅透过率和3D串扰之间的关系。对于2视点的裸眼3D设备,随着控制电压从4V增大到15V,串扰逐步减小了1.6%,从而最终确认了"开口率越高,3D串扰越大"的规律。     

高阻NTD-FZ-Si-P~+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ ＦＺ Ｓｉ Ｐ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火,测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命,并对结果进行了分析讨论。     

B样条曲面拟合在Mura缺陷获取中的应用

TFT-LCDMura缺陷表现为对比度低、亮度区域不均匀、边界模糊,通常大于一个像素,会给观察者带来视觉不适,是一种比较常见的缺陷。长期以来,对Mura缺陷的检测都是由经过训练的专业检验员完成。近年来,研究人员开始研究利用机器来代替人眼检测,但机器如何获取Mura缺陷一直是行业内公认的难题之一。本文提出了基于B样条曲面拟和的方法来获取Mura缺陷信息,并通过对大量真实Mura缺陷样本的检测验证了该方法具有高的获取准确率。