微米级银粉微观结构分析

通过使用XRD方法对热分解方法和碱体系还原得到的微米级银粉微观结构分析,结果表明微米级银粉都是纳米级的银晶体颗粒组成,且为面心立方结构;银粉晶粒表现为各向异性;制粉条件会影响银粉晶粒尺寸,升高热分解温度促使晶粒变小,机械整形和磨制促使晶粒变小;制备的银粉存在晶格畸变,均表现为晶格膨胀;制粉条件会影响晶面的布拉格衍射强度,且对不同晶面的影响程度存在差异。     

包覆-热分解碳酸银前驱体制备球形银粉的研究

以碳酸铵为沉淀剂、硝酸银溶液为原料, 利用化学沉淀法制备得到碳酸银前驱体, 通过并流沉淀法包覆改性碳酸银前驱体, 并经热分解得到单分散的球形银粉。通过X射线衍射分析(X-raydiffraction, XRD)、粒度分布统计(particlesize distribution, PSD)、振实密度测量和扫描电子显微检查(scanning electron microscopy, SEM) 等表征手段研究了热分解银粉的结晶度、纯度、分散性、填充性及微观形貌; 讨论了硝酸银溶液浓度和甲醇添加对碳酸银前驱体颗粒分散性和粒径的影响, 并分析了碳酸镁与碳酸银包覆比例(摩尔比) 对银粉分散性的影响。结果显示, 使用包覆-热分解方法可以制备得到单分散的球形银粉, 该方法具有设备简单、投资少、产品分散性好且粒度分布集中的优点; 当硝酸银溶液浓度为0.2~0.5 mol/L时, 可以得到粒径为0.5~2.5μm的球形银粉; 碳酸银分散性可通过添加甲醇进行调整, 甲醇含量(甲醇在硝酸银溶液中的体积分数) 应控制在5%~10%;当硝酸银溶液浓度为0.5 mol/L、甲醇体积分数为5%时, 碳酸镁与碳酸银摩尔比2:1制备得到的球形银粉分散性最佳。     

氧化膜强化技术在钽电容器生产中的应用

采用氧化膜强化技术在钽阳极体外表面形成抗机械应力的强化氧化膜,并模拟钽电容器回流焊过程,研究回流焊前后钽电容器漏电流变化以及对击穿电压(BDV)的影响。试验结果显示:在回流焊安装前后,应用氧化膜强化技术的电容器漏电流增幅小于普通产品14%;耐BDV比普通产品高6 V。     

混合法工艺在固体钽电容器生产中的应用

本文重点讨论了在用混合法制备聚合物电解质的过程中单体和氧化剂配比、聚合溶液溶剂和添加剂等工艺条件对聚合物钽电容器电容量C和ReS等电参数的影响。     

铌电容器研究现状与发展趋势

介绍了金属铌的基本性能和铌材料在电子元器件行业中的应用-制造铌电容器，综述了铌电容器的研究起因，背景，历程，现状，客观分析了铌电容器的优，缺点，结合目前铌粉的发展状况和性能水平，对铌电容器的未来发展趋势和市场前景进行了展望。     

铌、钽电容器性能分析

钽铌属于同族元素 都是阀金属材料,其介电常数分别为27、41,都可以用来制作电解电容器。本文使用铌和钽2种材料分别制作电解电容器,并通过容量损耗测试仪、漏电流测试仪、电子扫描电镜等分析仪器对其和始性能、偏压性能、温度特性、寿命特性及其电介质层的微观特性进行检测分析。结果表明使用铌材料同样可以得到性能较好的电解电容器。     

导电聚合物（PEDOT）浆料在钽电容器生产中应用

通过采用浸渍导电聚合物浆料和原位聚合方法制备聚合物钽电容器,并对比电容器电性能,研究导电聚合物浆料对聚合物钽电容器电性能的影响。实验结果表明导电聚合物浆料可以提高电容器的耐压性能,即产品有较高的击穿电压值,但是产品的容量引出率和ESR恶化。     

银粉球磨过程中的晶粒变化研究

使用类球形银粉作为前驱体球磨得到片状银粉,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法研究片状银粉机械球磨过程银粉发生的物理变化包括晶体择优取向、衍射峰角度位移和宽化、形貌及粒度分布。结果表明,银粉球磨过程中(220)晶面出现择优取向,衍射峰发生高角度位移且应晶粒尺寸随着球磨时间延长显著减小。     

铌电容器及其电介质的稳定性

介绍了铌电容器发展的起因、背景、历程及现状。确定了铌电容器电介质氧化膜的稳定性是影响其性能的首要因素，并对产生电介质氧化膜的电化学反应进行了对比研究。结果表明：选择合适的形成液类型及形成时间等条件，可以明显改善五氧化二铌电介质膜的稳定性，从而使铌电容器的性能得到有效改善和控制，并进一步接近钽电容器性能，具有工业化应用潜力。     

无定形铌氧化膜的优化生长及机理分析

铌是用于制造电解电容器的优质材料，但在进行电解反应生长无定形Nb2O5电介质膜层的过程中会同时生成2种低价态的铌的氧化物（NbO，NbO2），影响了铌电容器的性能。本研究通过对影响无定形铌氧化膜生长的各种条件进行对比实验，并就生长机理进行了深入分析，较好地控制了氧化膜中3种氧化物的相对含量，改善了铌电容器的性能。