铌酸钠钾基压电陶瓷的电场诱导介电特性

采用传统的固相反应合成法制备了0.9(K0.5Na0.5)NbO3-0.1LiSbO3(KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了它在不同直流偏置电场下的介电常数的频谱,并分析了直流偏置电场诱导下的相对介电常数变化值Δrε和调谐率K.随着偏置电场的增大,Δrε和K都变大,这与传统的钛酸锶钡陶瓷类的材料结果相反.同时,随着频率的增加,Δrε和K都减小.Δrε随偏置电压的增加而增大,意味着在高的电压下,样品的色散效应增大,其原因可以用空间电荷的极化理论来解释.另外,在外加偏置电压不高的情况下(3 kV/cm),就可以获得相对较大的调谐率1.17%.     

一种用于功率IC中高性能PNP管的版图设计

在对传统横向PNP管版图和晶体管寄生效应分析的基础上,提出了一种基于双极工艺的横向PNP管设计方案,并给出了一个适用于功率集成电路中高性能横向PNP输出管的版图设计.     

“集成电路工艺原理”课程中湿法腐蚀实验安排

为了形象演示"集成电路工艺原理"课程中的各向异性湿法腐蚀,笔者指导学生设计了一组(100)硅片上以SiO2正方薄膜为掩膜的腐蚀实验。学生自主配置KOH了溶液,改变水浴温度进行各向异性腐蚀实验,并利用金相显微镜对样品实时观察并测量。学生在动手过程中可以理解各向异性相关工艺,加强了教学效果。     

高性能异或门电路的设计

在分析已发表的典型异或门电路的基础上,提出一种新型高性能的异或门电路,其电路核心部分仅3个晶体管,包括一个改进型互补CMOS反相器和一个NMOS传输门.在TSMC0.18μm CMOS工艺下经HSPICE模拟.结果表明,与已有的异或门电路相比,新设计在速度和功耗延迟积上具有较大的优势.     

基于共振隧穿二极管的阈值逻辑单元电路设计

共振隧穿二极管作为较为成熟的纳米电子器件,已被广泛应用于高速低功耗电路。由于其具有负内阻特性,单一门电路的功能大大增加,减少了电路的复杂度。在阈值逻辑函数的硬件实现方面,共振隧穿器件也体现出显著的优势。结合谱技术,基于共振隧穿二极管,设计了可实现任意三变量阈值逻辑函数的阈值逻辑单元电路。该电路还可作为阈值逻辑网络中的基本单元,实现复杂的逻辑功能。通过HSPICE软件,仿真验证了所设计电路的正确性。     

新型8管一位全加器电路设计

通过对已有全加器电路的研究与分析,提出了仅需8个晶体管的新型全加器单元.新电路包括2个3管同或门模块和1个选择器模块.在台积电(TSMC)0.18μm互补氧化物半导体(CMOS)工艺器件参数下经电路模拟程序(HSPICE)进行性能测试,与现有典型的全加器相比,新电路在晶体管数目、功耗和功耗延迟积有较大的优势.     

基于共振隧穿二极管的阈值逻辑单元电路设计

共振隧穿二极管作为较为成熟的纳米电子器件,已被广泛应用于高速低功耗电路。由于其具有负内阻特性,单一门电路的功能大大增加,减少了电路的复杂度。在阈值逻辑函数的硬件实现方面,共振隧穿器件也体现出显著的优势。结合谱技术,基于共振隧穿二极管,设计了可实现任意三变量阈值逻辑函数的阈值逻辑单元电路。该电路还可作为阈值逻辑网络中的基本单元,实现复杂的逻辑功能。通过HSPICE软件,仿真验证了所设计电路的正确性。     

电机驱动IC芯片中功率输出管的版图设计

电机是车辆系统智能化的重要组成部分.由于电机感性负载的特性,在开、关和换向工作瞬间会产生能量极高的脉冲.因此在它的驱动芯片版图设计中,传统的大功率输出管的设计并不能解决电机固有特性所带来的瞬间高压和大电流所造成的影响.通过分析传统大功率管版图设计的特点,结合分析双极型工艺条件下晶体管寄生参量产生的原因,设计了一个适用于汽车环境下工作的驱动电机功率驱动芯片中大功率输出管的版图.