调制掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应

本文在77 K下研究了调制掺杂 n-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应.结果表明,掺 Cr GaAs衬底中Cr深能级上电子的激发和 Al_xGa_(1-x)As中DX中心的光离化都产生持久光电导.     

有并联电导的调制掺杂N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结

在分子束外延生长的调制掺杂N-A1_xGa_(1-x)As/GaAs异质结中,在Al_xG_a_(1-x)As层中常出现载流子未耗尽的薄层,对二维电子气会形成一个并联电导层。本文研究了有并联电导时这种结构在低温强磁场下的输运特性。