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结区中存在量子阱结构样品的C-V特性分析 总被引:2,自引:2,他引:0
对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的C-V特性及其与温度的关系进行了测量,并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的C-V特性及其C-V载流于浓度分布.实验和模拟计算的结果均表明,C-V载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值,它反映了被限制在阱中的载流子的积累,峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加.低温时由于阱中载流子的热发射几率变小,阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率,造成电容值显著变小. 相似文献
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