OYSTER:一种研究集成电路三维结构的程序

本文介绍了一种用于超大规模集成电路器件制作步骤的参数模拟和分析的程序系统设计(OYSTER)。这个程序系统根据立体几何模拟方法,把每一制造步骤中的集成电路组成元件都描述为几何数据库中的三维结构。制造步骤模拟就是把数据库表示的几何形状及组成元件之间的关系从某一制造工序之前的状态变换到该工序完成后的状态。在任何一道工序,特别是在最后一道工序完成之后,可以自动地分析构成电路的元件,以确定几何的、机械的,热的和电学的性能。为了研究对准公差的情况可以引入统计的结果。本文叙述了一个实验性研究,在该研究中,使用现有的几何模拟系统把场效应晶体管器件要经过的二十八道工序所需要的一套平面掩模变换成三维模型,使用此模型可计算器件的电容。     

低压热壁硅烷系统中的硅淀积

用H_2和N_2作载带气体研究了硅烷系统中多晶硅和无定形硅的淀积。实验在低压反应器中进行,淀积温度在525—700℃之间,压力(7×10~(-4)巴)和气体流速保持不变。发现在低硅烷输入压力下,在H_2和N_2中Si的生长速率都和硅烷输入压力成正比,并且N_2中的生长速率高于H_2中的生长速率。在较高的硅烷输入压力下,生长速率呈现饱和并变得和H_2分压无关。对实验数据的分析表明,从吸附在Si表面的SiH_2物质中释放出H_2的过程最有可能决定淀积速率。     

MO-CVD法制备器件质量的GaAs薄膜

随着GaAs及有关化合物半导体材料在微波、光电器件及集成电路领域中日益广泛的应用,研究一种更加简单易控、重复性好、适合于工业性生产的GaAs外延技术是十分必要的。Rockwell国际电子研究中心1968年报道的MO-CVD技术,兼有硅外延技术的工业生产性,GaAs液相外延和分子束外延的优点。十多年来,美、日、苏、英、德、法等国都对此技术进行了研究,并已获得广泛应用。我所从1972年起逐步开展了该技术的研究,至今已能制备器件质量的GaAs薄膜,并于1980年6月通过了部级技术鉴定,本文简要介绍我们的研究结果。     

烷基金属——氢化物法同质砷化镓气相外延

前言 用Ga-AsCl_3-H_2系统已制备了总电离杂质浓度为～10~(13)cm~3的高纯GaAs外延层,但是卤化物系统控制困难,重复性差,不能完全满足器件和电路发展的需要。1968年,Manasevit等首先报道用有机金属化学气相淀积(MO-CVD)技术制备Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体外延薄膜。其后,他们对MO-CVD技术的淀积原理和     

MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备

我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs MOCVD外延生长的影响。     

MOS VLSI难熔栅述评

随着芯片尺寸和集成电路密度的不断增加,多晶硅互连线的电阻限制了总的电路性能。本文将对用于增强或代替多晶硅的难熔栅的现状进行评论。所讨论的栅结构有单层难熔金属栅及金属硅化物栅和含有硅化物的多晶硅-金属复合结构栅。探讨的一般问题包括:和现行MOS工艺的相容性,长期可靠性和按比例缩小到亚微米工艺的能力。涉及的具体问题有:难熔金属栅的钝化,和应力有关的难熔栅的粘附性,多晶硅化物的图形形成和自对准硅化物结构的选择形成。对用或未用难熔栅的具有当代工艺水平的256K动态RAM电路也作了评论。最后研究了难熔栅工艺的发展前途。     

氮氧化硅膜的淀积与组成

用SiH_2Cl_2、N_20和NH_3混合气体、借低压化学汽相淀积(LPCVD)工艺在820℃下生长了氮氧化硅膜。整个膜的组成可通过调节N_2O/NH_3气体流量比来加以改变。淀积膜的卢瑟福背散射(RBS)及俄歇分析指出,整个膜的组成是均匀的,与衬底性质无关。这些氮氧化物膜的厚度和组成很容易用椭圆对称法进行测量;而其氧/氮比可从折射率值中准确地导出。据推断,在原子尺度范围内,LPCVD氮氧化物是均匀的,也就是,硅原子受到氧原子和氮原子的随机包围。因此,这种氮氧化物不是想象中的氧化硅和氮化硅的两相物理混合物。就温度-偏压应力状态下平带电压的漂移而言,发现氮氧化物膜在金属-氮氧化物-氧化物-硅结构中的稳定性随着氧含量的增加而改善。     

高纯去离子水的微细过滤

报告了用一种新型的过滤筒来去除在微电子工业中用于漂洗硅片的去离子水中的胶体物质的实验研究结果。这种新型过滤筒是用传统的褶状筒做成的,在它周围插入一薄层阳、阴离子微型树脂,称之谓大孔树脂。 这种微型树脂和过滤器在同一个筒中的组合可以使用户获得传统过滤器无法达到的过滤量和水质。     

MO-CVD法汽相生长Ga_(1-x)A_(1-x)As的初步结果

一、引言 MO-CVD技术在制备GaAs多子器件材料方面已经达到实用化的水平。与传统的卤化物CVD、LPE和MBE相比,在制备大面积Ga_(1-x)Al_xA_s—GaA_s异质结构方面,MD-CVD的优越性也是显而易见的。据R、D、Dupuis等报道,用MO-CVD材料已制作了各种Ga_(1-x)Al_xA_s—GaA_s异质结激光器和太阳电池,性能可与LPE材料器件相比。因此,作为一种制备光电子材