电子转移器件振荡模式的一些数字结果

对微波电路中电子转移振荡器的性能进行了数字研究。电路参数改变时,对限累模式转变到畴模式给以特殊的注意。限累工作的一个简单数学模型给出的结果与解一个更严格的模型的偏微分方程所得到的结果相一致。     

20GHz频段单片GaAsFET低噪声放大器

研制出一种20GHz频段单片砷化镓场效应低噪声放大器。通过得到在半绝缘砷化镓衬底上的微带线传输特性来完成设计和制造。研制的羊片放大器由亚微米栅GaAsMESFET和在半绝缘砷化镓衬底上制作输入和输出分布参数匹配电路所构成,尺寸为2.75×1.45mm~2。在21GHz没有任何附加调节情况下得到了6.2dB噪声系数和7.5dB的相应增益。     

2—8GHz宽带低噪声场效应放大器

采用C×591型MESFET管芯、微带电路小型元件及工艺,研制成2—8GHz宽带、低嘱声平衡式多级放大器,设计过程中系统地使用CAD技术,特别考察了3分贝耦合器对双倍频程宽带放大器增益及噪声性能的影响,并用过耦合定向耦合器满足了放大器的设计指标。本文介绍了该放大器的设计、制作、工艺和实验结果。     

超高频卫星广播接收用的一种梁式引线GaAs混频二极管

<正> 一、前言在国内,把超高频(12GHz 频带)卫星广播的实用化作为目标,1978年发射了实验用的广播卫星,现在正继续进行着各种实验。并制订了在1983年发射实用卫星的计划。由于从卫星发出的电波到达地面时变成微弱的信号,因而有必要研究低噪声接收设备,为此进行了专门的研究。图1是 NHK 研制的超高频接收机的方框图。从卫星发射来的超高频信号,在下变频器 UHF 带(实用卫星的场合为1GHz 频带)直接变换,最后经调频-调幅     

GaAs单片集成电路超宽带低噪声放大器

<正> 一、序言 GaAsFET作为有低噪声、高增益特征的微波放大器,正在不断地开展着研究,现在已处在实用化阶段。最近几年,使其更加发展的GaAs单片集成电路化的工作日趋活跃。 GaAs集成电路(简称IC)首先从千兆赫分频器等高速逻辑着手,但最近几年正在向除此之外的模拟IC范围扩大。考虑到模拟IC中的宽带放大器在各种无线电设备前端等的