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1.
本文对Al_2O_3/SiC nano ZrO_2(3Y)复相陶瓷的力学性能和微结构进行了研究,探讨了ZrO_2(t)应力诱导相交增韧机制和纳米粒子增韧机制相互迭加的可能性。结果表明:适量的第二相纳米粒子ZrO_2(3Y)加入对材料的微结构有很大影响,同时对材料的力学性能的提高作出贡献。 相似文献
2.
ABS增韧硬质聚氯乙烯的结构形态和增韧机理 总被引:15,自引:1,他引:15
研究了ABS用量变化对改性硬质聚氯乙烯体系冲击性能的影响。用电子显微镜(SEM、TEM),观察了形态结构。结果发现,随ABS用量增加,增韧曲线呈“S”型,体系形态发生变化。PVC/ABS共混体系为半相容体系。试样拉伸时,ABS作为应力集中体分散于PVC连续相中,引发银纹,银纹对共混体系增韧具有重要作用。 相似文献
3.
研究了线性分子链结构的无规共聚聚丙烯(PPR)和通过化学接枝改性获得少量长支链结构的高熔体强度聚丙烯(HMSPP)的流动不稳定性以及剪切、拉伸流动性能.结果表明:PPR挤出物出现螺纹状畸变,在高剪切速率下发生熔体破裂与入口区压力不稳定性有关;HMSPP入口压力降在测试范围内没有出现明显的压力波动,挤出物仅表现出螺纹畸变... 相似文献
4.
用萃取剂Cyanex 301(二(2,4,4-三甲基戊基)二硫代膦酸)将Zn2+萃取到有机溶剂中,将得到含Cyanex 301-Zn2+萃合物的有机相置于聚四氟乙烯作为内衬的高压反应釜中于150℃恒温24 h制备了ZnS纳米粒子。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和红外光谱(IR)表征了粒子的形貌和结构。结果表明,得到的ZnS是小粒子聚集体,Cyanex 301在整个反应过程中起到了萃取剂、硫源及表面修饰剂等多重作用。 相似文献
5.
CPE增韧硬质聚氯乙烯的结构形态和增韧机理 总被引:7,自引:0,他引:7
对氯化聚乙烯(CPE)改性聚氯乙烯(PVC)体系的性能随组成的变化进行了研究。用电子显微镜(TEM、SEM)考察了共混体系的形态结构。结果发现:PVC和CPE相容性较好,共混体系在断裂过程中产生网丝结构。网丝结构与CPE用量密切相关,是脆-韧转变后体系发生塑性变形的结果,是PVC基体韧性突增的主要原因。 相似文献
6.
配制 TPI/甲苯极稀溶液 (质量分数为 1 0 - 4%~ 1 0 - 2 % ) ,用喷雾法、漏斗富集法、生物展开法制备 TPI单链或寡链粒子试样 ,分别采用不同结晶温度及结晶时间。用透射电镜观察样品微观形貌 ,发现 TPI单链或寡链呈现多样的微观结晶形态 ,主要有 :尺寸为几十纳米的微晶粒子、几十至几百纳米的寡链单晶及在非晶衬底上的结晶小粒子等。实验发现 TPI寡链单晶较微晶小粒子更耐电子辐照。 相似文献
7.
以聚C9-马来酸酐为乳化剂制备了粒径为400nm表面带有羧基的聚苯乙烯-丙烯酸酯阴离子乳胶粒(PSA),并以此为模板,用直接包覆法制得了450 nm~500nm ZrO2空心球壳.所制备的样品采用FT-IR,XRD,TEM和SEM等进行了表征.结果表明在适宜的条件下可以使水合氧化锆纳米粒子通过静电引力在乳胶粒表面形成光滑的核壳结构.在600℃煅烧后制得由约为17 nm的粒子堆成的ZrO2空心球壳.用Zeta电位法推测了水合金属氧化物纳米粒子在PSA乳胶粒表面形成球壳的机理,预测了利用直接包覆法形成核/壳结构的最佳条件. 相似文献
8.
采用萃取沉淀法制备了高比表面的ZrO2粉体.借助XRD、TEM、N2等温吸附等手段研究了锆盐浓度、氨水浓度、沉淀反应温度等对ZrO2粉体结构和性能的影响.结果表明随锆盐浓度和氨水浓度的降低,ZrO2粉体的比表面降低;沉淀反应温度影响ZrO2粉体的相组成和比表面积.并制备出比表面高达231.4m2·g-1(600℃煅烧),四方相的ZrO2粉体. 相似文献
9.
在苯乙烯-丙烯酸(酯)共聚物(PSA)乳胶粒上包覆1层碱式碳酸锌,形成PSA/Zn2(OH)2CO3核壳结构微球,以此核壳微球为前驱物,采用不同的焙烧方式制备出不同形貌的ZnO纳米晶.所得ZnO纳米晶的结构和形貌用XRD、TEM和SEM等技术进行了表征. 相似文献
10.
报道了1种新形态的GaN低维纳米材料--镊子状纳米GaN的合成及其新颖的光致发光特性.首先,对单晶MgO基片表面进行化学刻蚀,使其表面形成规则的小山峰样突起结构.随后,通过金属镓与氨气反应,在经上述特殊处理后的立方MgO单晶基片上,首次成功地合成出镊子状纳米GaN.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、透射电镜及选区电子衍射结果表明镊子状纳米GaN是由底部的1根直径大约为100 nm~150 nm的纳米棒和上部的2根直径大约为40 nm~70nm的纳米针组成;纳米镊子是具有立方闪锌矿结构的GaN单晶.光致发光谱研究表明,镊子状纳米GaN在450nm左右有1个宽的强发光峰,该发光峰处于蓝带发光区.此外,在418 nm,450 nm及469 nm处各有1个劈裂峰. 相似文献