激光预热基片化学气相沉积硅薄膜

利用激光的方法在非单晶基片上制取硅薄膜的优点是时间快、纯度高,但面积小(均匀部分)。本文用小孔耦合输出的多横模CO_2激光和真空预热基片的方法进行了研究,获得了比以往面积较大的硅薄膜。 制取硅薄膜的装置如图1所示,它主要由CO_2激光器、反应室和充气系统组成。反应室用95#玻璃     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光声激光偏转(OLD)测量了强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4-H_2系统产生等离子体淀积(LPCVD)硅薄膜过程中的激波效应,证明激光击穿SiH_4诱发的激波效应是LPCVD中基本的气体动力学过程,并讨论了激波对膜生长的影响。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光—声激光偏转(OLD)技术研究了激光等离子体淀积(LPCVD)硅膜中的激波动力学过程。证明激波对淀积膜的结构、均匀性及面积有重要影响。