不锈钢法兰失效分析

通过对失效法兰的金相检验与分析, 阐述了法兰接管突发断裂的原因, 对今后施工中材料管理体系中质量控制提供了借签。     

利用MOSFET亚阈I—V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用ＭＯＳＦＥＴ亚阈Ｉ－Ｖ曲线对加固和非加固ＭＯＳＦＥＴ的辐射感生界面陷阱密度进行了测量,分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系。     

利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系     

砖混多层楼房裂缝的防治

砖混结构多层楼房裂缝不仅种类繁多。笔者就几年来对中原油田砖混多层楼房裂缝现场进行了察看，并对裂缝产生的原因组织有关专家进行了论证，提出预防措施。     

用活化法测量共振区中子能谱

本文介绍了用共振活化探测器测量1电子伏——30千电子伏能区中子能谱的工作,包括方法原理,探测器的选择与制备,样品的照射与测量,以及数据处理的各种修正项的考虑。最后给出了用该法对反应堆中子能谱的实测结果。     

不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能

对加固ＣＭＯＳ器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验,研究了ＭＯＳＦＥＴ阈值电压及ＣＭＯＳ倒相器转换电压Ｖｔｒ、开门电压Ｖｉｈ、关门电压Ｖｉｌ等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律．对实验结果进行了分析讨论     

BF_2~ 注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量

利用亚阈测量技术对BF 2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。对BF 2 注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。     

不同剂量率LC54HC04RH电路的电离辐射效应

对 L C54HC0 4 RH电路在不同辐射剂量率进行了电离辐射实验。分析了该电路的阈值电压随辐射剂量率的变化关系。实验结果表明 :在辐射剂量率处于 3× 10 -4 Gy(Si) / s到 1.98×10 -1Gy(Si) / s范围内 ,辐射感生界面陷阱电荷随辐射剂量率的减少而增加。辐射感生界面陷阱电荷是导致该电路在空间辐射环境下失效的主要原因。