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简述了中子辐照射IGBT特性的影响;给出了器件在中子辐射注入剂量高达10^13n/cm^2时的实验结果,实验发现,随着中子注入剂量的增加,开关缩短,阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围,所观察到的中子效应是因IGBT少子寿命的减少造成的,而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。 相似文献
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辐照对IGBT特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响,给出了器件在中国辐射注量高达10^13n/cm^2时的实验结果。实验发现,随着中子注量的增加,开关进行缩短,阈值电压漂移。对于所研究的注量范围,观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的,而不是由于有效掺杂浓度变化所致。 相似文献
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本文简单介绍了800V/10A和1200V/A绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研制.重点介绍工艺过程和测试结果. 相似文献
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本文简述了IGBT的设计技术和制造工艺,对IGBT的I-V特性,开关特性及闩锁效应进行了系统的研究,结合实施工艺对IGBT的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作IGBT的异型厚外延材料,成功地制了10A/800V,20A/1050V的IGBT芯片,给出了试制样品的测试结果。 相似文献
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提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压控制可变电阻模型等效IGBT的n- 外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取,计算依据正确,物理意义明确.用该模型计算了IGBT的I- V特性、开关特性等,与实测符合较好,误差不超过8% ,此结果比已报道的同类模型要好,且更为简单方便. 相似文献
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由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET).本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化. 相似文献