纳米电子技术

<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。     

IGBT特性的中子辐照效应

简述了中子辐照射ＩＧＢＴ特性的影响；给出了器件在中子辐射注入剂量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果，实验发现，随着中子注入剂量的增加，开关缩短，阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围，所观察到的中子效应是因ＩＧＢＴ少子寿命的减少造成的，而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。     

800V/10A和1200V/6A IGBT的研制

简单介绍了800V/10A、1200V/6A IGBT的研制与工艺,给出了测试结果     

纳米电子技术

微电子技术引发了本世纪的信息革命。纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。     

辐照对IGBT特性的影响

本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中国辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实验发现，随着中子注量的增加，开关进行缩短，阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，观察的效应是由于ＩＧＢＴ少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。     

光电子学与光通信

目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一，光通信更是推动人类进入通讯新纪元的关键技术。     

800V／10A和1200V／6A绝缘栅双极晶体管的研制

本文简单介绍了８００Ｖ／１０Ａ和１２００Ｖ／Ａ绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的研制．重点介绍工艺过程和测试结果．     

新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证

提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压控制可变电阻模型等效IGBT的n- 外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取,计算依据正确,物理意义明确.用该模型计算了IGBT的I- V特性、开关特性等,与实测符合较好,误差不超过8% ,此结果比已报道的同类模型要好,且更为简单方便.     

碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究

由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET).本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化.