ITO薄膜制备及RTA处理对发光器件特性的影响

采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响.以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例,讨论了不同的制备条件下ITO薄膜的表面效应对电致发光(EL)的影响,通过EL光谱表征发现,对ITO退火处理后,器件的相对发光强度明显增加,衰减速度减慢,器件的EL光谱有明显的变化.通过进一步分析认为,这是由于ITO薄膜表面的变化引起功函数的改变,从而引起电场重新分布造成的.     

有机无线射频识别技术的研究进展

介绍了有机无线射频识别（RFID）标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市场状况等方面的内容。讨论了有机RFID与无机RFID标签在材料及加工工艺方面的区别,有机电子可以通过采用印刷工艺,完成大规模有机电路的集成,大大降低RFID标签的成本。指出有机RFID技术无论是生产材料还是生产方式都比无机RFID技术极具优势,符合未来商业化的要求及应用。     

OLED、柔性、透明化显示技术及有机发光材料的发展和挑战

OLED显示因符合未来显示技术发展的要求而引起越来越多的关注和重视．柔性及透明化显示是未来显示发展的趋势。综述了OLED、柔性、透明化显示技术发展历程,并对现状进行了分析,指出目前这些技术所面临的挑战及可能的解决途径。有机发光材料的发展是这些显示技术发展的基础,有机材料主要存在的问题包括载流子迁移率低、不稳定等,不利于其在显示技术的应用。     

薄膜晶体管研究进展

薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。     

溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响

采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3 (Snx4 ·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4 ·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.     

对不同制备方法下的ZnO基薄膜晶体管透过率的研究

文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。     

Study of Electroplex Emission from Organic Electroluminescent Devices with Rare Earth Complex

A novel organic electroluminescent device was made with the structure of ITO/PVK：Tb0.5Eu0.5（TTA）3 Dipy/ BCP/Alq3/Al（a） which utilized the rare earth complex Tb0.5Eu0.5（TTA）3 Dipy as the emitting layer. When it was driven under a direct electric field, 612 nm emission from EU^3＋ and 410 nm emission from PVK were observed. In addition, in the EL spectrum a new peak at 490 nm appeared. From the analysis of different devices, the mechanism of the new emission was studied. It was concluded that the new emission was the electroplex originating from the interface between the ligand （TTA）3Dipy and BCP.     

不同的制作方法对ZnO-TTFT光学特性的影响

采用磁控溅射和电子束热蒸发方法制备了ZnO-TTFT(ZnO基透明薄膜晶体管)器件,通过XRD和透射光谱对两种不同制作方法的样品性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。研究了退火处理对器件性能的影响,发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性。     

以Al2O3/AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO-TTFT透过率的研究

采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明.     

错位叠加曝光法制作楔形斜面微结构研究

本文研究了基于T公司生产的某型号正性光阻,采用错位叠加紫外曝光工艺,实现灰阶曝光效果的方法,最终得到具有特定角度的楔形斜面结构.光阻在进行紫外感光前后,对紫外光的吸收系数α会发生变化,根据朗伯比尔定律(Lambert-Beer law),将楔形斜面结构等效成台阶状结构,并通过实验计算出使该光阻发生光解反应的临界曝光能量...