对冠心病可控的易患因素的相关分析

目的观察冠心病的可控易患因素吸烟、血压、血糖、血脂等对冠状动脉粥样硬化性心脏病的影响。方法对我院2008年7月至2010年7月期间就诊的280例冠心病患者的冠状动脉造影结果和临床资料进行分析,探讨对冠心病可控易患因素进行干预的意义。结果冠心病危险因素共存越多,冠脉血管的发病率及病变程度越高。结论对可控的易患因素进行干预,对降低冠心病发病率能起到积极肯定作用。     

脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程     

雷达情报系统作战效能模糊综合评估

为探索雷达情报系统的综合集成和一体化建设，对美军网络中心战体系中指挥控制系统的结构和特点进行了研究，结合我军雷达情报系统现状，建立了雷达情报系统作战效能评估指标体系框架．根据雷达情报系统性能指标的相对性、不可比性和不确定性，运用模糊综合评估方法和层次分析法对雷达情报系统作战效能进行评估，最后通过实例验证了模型的有效性．     

硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征.器件阈值电压偏移达1.8V以上,并随着沟道宽度的变窄而增加,而与沟道长度基本无关.同时,阈值涨落也随宽度的变窄而增大.在20~300K测量温度范围内,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化,说明荷电过程主要由直接隧穿决定.进一步,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程.     

极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声

研究了极细沟道NMOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS)的特征.首次在室温下观测到了大幅度(大于60%)的RTS,发现当器件工作在弱反型区时,RTS幅度基本与温度和栅压无关.对RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明,载流子数涨落与迁移率涨落引起的RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加,当沟道宽度减小至40nm以下时,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中RTS幅度的影响起主导作用.     

MOSFET中大幅度随机电报信号噪声的动力学特性

对 MOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,通过测量 RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系 ,获得了氧化层陷阱的位置与能级 ,证实了氧化层陷阱的热激活模型在细沟道 n MOSFET中仍然成立。同时发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与栅压无关。对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,当沟道宽度减小至 4 0 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对 RTS的幅度的影响起主导作用。     

以Ni-Fe双层氢氧化物为模板制备高度石墨化介孔炭(英文)

在相对较低的温度下,以蔗糖为碳源,Ni-Fe(Ni/Fe=2)双层氢氧化物作为催化剂前驱体和模板,通过固相法制备石墨化介孔炭。通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱法(Raman)对产物的结构和形貌进行表征。结果显示该材料具有较高的石墨化程度。氮气吸附和孔径分布显示制备出的石墨化炭的孔径分布均匀;同时,对石墨化炭的形成过程进行了分析。     

极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声

研究了极细沟道NMOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS)的特征.首次在室温下观测到了大幅度(大于60%)的RTS,发现当器件工作在弱反型区时,RTS幅度基本与温度和栅压无关.对RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明,载流子数涨落与迁移率涨落引起的RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加,当沟道宽度减小至40nm以下时,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中RTS幅度的影响起主导作用.