电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移

本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性,提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析,验证了这一方法的可靠性     

Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究

利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜,同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜,其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化,与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离,本文对此进行了分析和讨论．