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1.
太阳能级Si片清洗工艺分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10~(14)atoms/cm~2,Fe元素小于5×10~(13)atoms/cm~2。碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH~-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率。  相似文献   
2.
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进.得到不同导流系统下的氩气流场和伞局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,同液界面趋于平坦,有利于结晶潜热的散发和单晶径向电阻率的均匀性.研究表明改进导流系统能提高结品潜热散发速率,有利于提高晶体拉速.  相似文献   
3.
背接触硅太阳电池研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向.背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注.概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向.  相似文献   
4.
利用数值模拟,对等离子外沉积制砣系统中空气流场调整和改进,得到不同空气流场。试验发现在进气布局调整后,空气流场得到明显的改善,挥发物位置的气流结构改善更有利于挥发物的排出,减弱了制砣位置的卡门漩涡,有利于避免挥发物污染,得到高洁净度的石英砣。实验表明改进空气流场能加速挥发物的排出,有利于提高光纤用石英砣的整体质量。  相似文献   
5.
φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场. 研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平坦,有利于结晶潜热的散发和单晶径向电阻率的均匀性. 研究表明改进导流系统能提高结晶潜热散发速率,有利于提高晶体拉速.  相似文献   
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