CoFe_2O_4薄膜厚度对其微结构和磁性能的影响

以铁和钴的硝酸盐为主要原料,采用sol-gel旋涂法在Si(001)基片上制备了不同厚度的CoFe2O4(CFO)薄膜。研究了薄膜厚度对其结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着其厚度的增大,薄膜的结晶度变好,薄膜晶粒度逐渐增大到70nm。Ms随着薄膜厚度的增大先增大后减小;Hc的变化规律和Ms相反。当薄膜厚度为800nm时,Ms达到最大值59.2A·m2/kg,此时Hc最小为106.7kA/m。该薄膜具有高度的平行各向异性。     

基于光耦的小电流线性隔离传输特性研究

小电流模拟信号的隔离传输最简单常用的方法是采用线性光耦进行传输,但是线性光耦应用复杂,采用改变非线性高速光耦的使用方式来实现小电流模拟信号的线性隔离传输。通过对高速光耦进行理论分析,并结合以Fairchild 6N136高速光耦为研究对象的实验验证发现,高速光耦的发光二极管-光电二极管之间小电流传输时线性度好、温度特性好,而且高速光耦的CTR稳定性较好。因此高速光耦的此种使用方式在非高精度,且要求隔离的小电流模拟信号传输领域具有一定的适用性。     

小电流输出设备的电流回检解决方案

4mA～20mA小电流信号是现代工业现场应用的主流信号,该类型小电流输出设备的可靠性严重影响着工业生产的可靠性。因此需要对小电流输出设备的运行状况进行实时检测并能快速启动故障响应机制,最大程度地降低由于电流输出设备故障而造成的损失。结合当前工业控制系统模拟电流输出技术,以常用的系统侧与现场侧信号隔离的小电流输出设备为研究对象,提出了多种小电流输出设备的电流回检解决方案,详细分析了各个方案的特点与优劣。     

退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响

采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响.结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大.退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的...     

衬底温度对AIN薄膜结构及电阻率的影响

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AIN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征.结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AIN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳.一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω·cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势.     

退火对溶胶-凝胶法CoFe_2O_4薄膜结构与磁性的影响

采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe_2O_4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析.结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相.随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大.650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降.EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小.     

衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。     

控制系统高精度电流输出模块的低功耗设计与应用

提出了一种应用于集散控制系统的基于功耗自适应技术高精度电流输出模块的低功耗设计方案。当模块输出电流动态变化,负载(阀门)功耗会随之变化,通过调节管的压降反馈给通道电压调节模块的方式调节输出通道驱动电压,使之与负载功耗相匹配,达到内部功耗可控的目的。此方案大大减少了输出电流模块内部多余功耗,实现了低功耗目的,提高了模块内部器件及系统的可靠性。该方案相比常规方案,其对模块的散热要求更低,易于实现高密度集成,应用于手持便携式设备时具有更强的续流能力。