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材料的表面与基体内部在结构和性能上都会存在差异,这就要求对薄膜材料的制备及其表征方法有基本的了解.分析了薄膜材料的分类、常见制备方法及其原理,对材料表面的组分、结构、形貌等分析方法进行了归纳总结,并利用XRD,SEM,EDAX等进行逐项表征,获得了完整的材料表面信息,得出了薄膜材料的工艺制备,采用磁控溅射的方法较好. 相似文献
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使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶粒尺寸变小。Cu In S2的原位变温XRD结果显示Cu In S2在低于873 K时可以稳定存在,当温度达到873 K时Cu In S2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果呈现Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al/(Al+In)的量在0~0.5变化时,Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜的禁带宽度的相应变化为1.56~2.24 e V。 相似文献
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气相沉积法的薄膜制备研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对薄膜的应用现状、气相沉积法制备薄膜的常规方法及高能精密薄膜制备方法作了综述.认为开发薄膜复合处理工艺,实现制膜过程精密控制,以及节能环保的绿色镀膜将会成为薄膜制备新的趋势. 相似文献
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采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V~0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V~0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。 相似文献
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通过磁控溅射法在硅基材上制备了不同基底温度的TaMo和TaMoN涂层,采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了在第三组元N加入的情况下TaMo涂层的表面形貌和组织结构,采用CHI电化学分析仪分析了涂层的耐腐蚀性能,并分别对涂层进行了1000℃+300h高温氧化性能试验.实验结果表明,两种基底温度工艺下氮元素的加入对TaMo涂层的组织结构和表面形貌均有显著影响.另外,氮元素的加入可以提高TaMo涂层的耐腐蚀性能,但对TaMo涂层的耐高温性能没有改善. 相似文献
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