质子轰击条型GaAlAs激光器的温度特性

研究和分析了温度对GaAIAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。实验结果表明:在-40℃～ 40℃范围内,随着温度的升高,激光器串联电阻下降率9.6×10~(-3)欧姆/℃,阈值电流变化率0.54mA/℃,激光峰值波长向长波漂移率2.78(?)/℃,外微分量子效率保持不变;在20～70℃范围内,阈值温度系数I_(th)(70℃)/I_(th)(20℃)约1.3,特征温度T_o约202℃,外微分量子效率不变。最高连续工作环境温度可达150℃。阈值电流变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上还相当稳定。本文还研究了自脉动和功率扭析现象等。     

条形GaAs-GaAlAs双异质结激光器的发射光谱特性

介绍条形GaAs—GaAlAs双异质结激光器的四种发射光谱类型。探讨了它们的可能起因。有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。测量了不同电流下模式的转移与竞争。当电流增加时,波长向短波方向漂移。热阻较大的器件,实验的结果与以上结论相反。     

Zn 扩散 SH GaAs LED 及其电致发光特性

一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED'S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较好的温度稳定性;3)突然失效变化小,即寿命长,Zn 扩散 SH GaAs LED 就是一种这样的红外光源。虽然,在调制特性和效率方面,它比不上半导体 DH 激光器和 DH LED,但是,由于其结构简单,工艺难度小,所以还是一种得到广泛应用的器件。其效率高于同质结结构的同类器件,其截止频率 fc 也比掺     

半导体红外发光二极管的高频亮度和相位分布均匀性测量

引言随着我国测距技术的发展,光电相位测距法越来越引起人们的重视。采用半导体发光管和激光器为光源的测距仪,由于它具有重量轻、体积小等优点,目前,正被广泛地采用于各种勘测和施工测量中。光电相位法测距仪的主要工作原理是:对机内半导体发光(或激光)二极管所发出的光进行高频调制,测出此调制光从目标反射回来的相位差,由此精确地测定仪器至目标的距离。红外发光二极管(或激光器)是测距仪的核心元件,由于发光管发光面上各点所发出的调制光之间有一定的相位差(称相位不均匀效应),在实际测距中又无法每次都用     

GaAlAs DH激光器特性的温度效应研究

研究和分析了温度对GaAlAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。I_(th)变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上。还研究了自脉动和功率扭折现象等。     

GaAs-GaAlAs DH面发射型LED的频率特性及其与外延参数的关系

本文从实验和理论上验证了DH LED的调制带宽(截止频率)与有源区掺杂浓度、有源区厚度、注入载流子密度的关系,得到了一些与理论计算相符的实验曲线;讨论了器件的光带宽与电带宽之间的关系和复合常数B的选取问题。     

GF211正面辐射型DH LED的特性

引言 GF211型正面出光DH LED,是采用GaAs衬底材料,经液相外延、光刻、扩散、欧姆接触、装架等主要工艺技术制作而成的。这是目前实际使用价值较大的一种近红外光源。其特点为体积小,耗电低、光功率输出线性好,工作动态范围宽,具有较好的频率特性,而且结构简单,工作寿命长,性能稳定可靠。它所发出的光,与Si光电探测     

半导体光敏管、光电耦合器频率特性的测试

前言频率特性,是半导体光电探测器的重要参数之一。它标志着器件对入射光的反应速度,决定了器件使用时的频率极限,为研制者们所重视,也为使用者们所关心。本文以实际工作为依据,介绍半导体光敏二、三极管和光电耦合器频率响应特性的测试系统、方法和结果。