大功率VDMOS（200V）的设计研究

介绍了大功率VDMOS（200V）的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围：外延厚度为20μm,外延电阻率为5Ω·cm栅氧厚度为52nm;P阱注入剂量为3×3^12cm^2,推阱时间65min。将流片结果与仿真结果进行了比较。     

可控型电力电子器件的隔离驱动

可控型电力电子器件的驱动信号,是控制器发出的用于控制其开通和关断的控制信号,将低压侧的控制器和高压侧主电路连接在一起。驱动信号的隔离设计,实现高压和低压的解耦,对提高电路可靠性具有重要意义。光电耦合型、磁耦合型、光纤型等三种隔离驱动电路特性,进行了深入的对比分析,为高可靠性可控型电力电子电路设计和驱动、器件的一体化模块设计提供基础。     

功率VDMOS器件热阻测试

功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算精度的途径。结合热电偶测量原理,给出了提高热电偶测量精度的方法。所涉及的热阻测量方法,能够为热阻的高精度测量提供基础。