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出版年

2004年

2篇

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钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性 总被引：1，自引：0，他引：1

王海嵩杜国同许成栋宋俊峰唐君陈弘达刘宇祝宁华《半导体学报》2004,25(9):1143-1147

采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2 m A以内,最低阈值为1.2 5 m A的85 0 nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3d B带宽最高为4 .0 GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用相似文献

钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性

王海嵩杜国同许成栋宋俊峰唐君陈弘达刘宇祝宁华《半导体学报》2004,25(9)

采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用. 相似文献